检索结果分析
- 一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件
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申请号：CN201811159206.3
申请日：20180930
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件，首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱，在器...
- 一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件
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申请号：CN201810403053.6
申请日：20180428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件，属于半导体功率器件领域。该器件包括衬底N+硅层、有源顶层硅和槽形结构；所述衬底N+硅层下方设置有漏电极；所述有源顶层硅设置有P型硅区、N?漂移区、N+源区、P+源区...
- 一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管
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申请号：CN201810137194.8
申请日：20180210
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域，通过将现有体硅超结横向绝缘栅双极型晶体管的轻掺杂的衬底换成重掺杂的衬底实现快速关断，通过合理设置超结耐压层中各漂移区的杂质总数保证器件的击穿电压...
- 一种有两种载流子导电的超结功率MOSFET
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申请号：CN201810137190.X
申请日：20180210
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，其具有第一种导电类型的MOSFET及第二种导电类型的双极结型晶体管，并通过第一种导电类型的MOSFET及受所述MOSFET驱动的第二种导电类型的双极结型晶...
- 一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET
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申请号：CN201810072735.3
申请日：20180124
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，通过在现有的超结功率MOSFET中设置新的耐压层，改变衬底区的结构，或增加缓冲区以及辅助区，有效地提高寄生体二极管反向恢复电流的软度，改善...
- 一种基于多模态分类器的超声造影肿瘤识别方法
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申请号：CN201710787546.X
申请日：20170904
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种基于多模态分类器的超声造影肿瘤识别方法，所述方法包括：预先获取超声造影模态数据和多普勒彩色超声模态数据；对所述超声造影模态数据和所述多普勒彩色超声模态数据进行预处理；对经过预处理的超声造影模态数据进行特征学...
- 一种半监督小样本深度学习图像模式分类识别方法
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申请号：CN201710647312.5
申请日：20170801
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种半监督小样本深度学习图像模式分类识别方法，属于图像识别领域。该方法包括步骤：S1：对图像样本进行预处理；S2：将预处理得到的数据输入训练好的网络中，网络通过3D卷积层进行特征提取，得到特征图层；S3：每个卷...
- 基于地址译码的压缩感知视频图像采集电路
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申请号：CN201710216185.3
申请日：20170401
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了的基于地址译码的压缩感知视频图像采集电路,包括传感器模块、模拟选通器和ADC单元；及矩阵参数配置、地址译码器、时序控制器、存储RAM和加法器；传感器模块将采集的数据信号输入到模拟选通器中,地址译码器将片选控制...
- 一种面向高光谱图像的深度神经网络空间谱分类方法
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申请号：CN201610969604.6
申请日：20161031
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种面向高光谱图像的深度神经网络空间谱分类方法，属于深度学习及高光谱遥感图像分类技术领域。在该方法中，使用分组的空间谱特征作为输入，根据输入的分组特性，在深度神经网络的第一层的优化目标中加入正则化项，实现对空间...
- 面向深度学习的稀疏自适应神经网络、算法及实现装置
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申请号：CN201510944909.7
申请日：20151216
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种面向深度学习的稀疏自适应神经网络，包括至少一层自适应有限玻尔兹曼机，所述至少一层自适应有限玻尔兹曼机包括可视层和隐藏层，所述可视层和隐藏层之间的连接是稀疏的。在本发明所述的神经网络中，可视层与隐藏层的连接...
- 一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路
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申请号：CN201510808575.0
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器...
- 一种低功耗动态跨导补偿Class?AB音频功率放大器
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申请号：CN201510807984.9
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种低功耗动态跨导补偿Class?AB音频功率放大器，包括套筒式输入级、电流折叠式第二级和推挽式Class?AB第三级，所述套筒式输入级的输出端通过电容Cm1与推挽式Class?AB第三级的输出端连接，所述电...
- 低功耗动态跨导补偿Class-AB音频功率放大器
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申请号：CN201510807984.9
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种低功耗动态跨导补偿Class-AB音频功率放大器，包括套筒式输入级、电流折叠式第二级和推挽式Class-AB第三级，所述套筒式输入级的输出端通过电容Cm1与推挽式Class-AB第三级的输出端连接，所述电...
- 循环ADC的乘法数模转换器电路及电容共享拓扑用于CMOS图像传感器的列并行读出电路
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申请号：CN201510810278.X
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种循环ADC的乘法数模转换器电路，包括容值可变的取样电容单元、容值可变的反馈电容单元和放大器，本发明通过浮动调整部分采样电容以及反馈电容，在LSB转换期间主放大器具有显著的减载。从而可以使LSB的周期比MS...
- 循环ADC的乘法数模转换器电路及电容共享拓扑用于CMOS图像传感器的列并行读出电路
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申请号：CN201510810278.X
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种循环ADC的乘法数模转换器电路，包括容值可变的取样电容单元、容值可变的反馈电容单元和放大器，本发明通过浮动调整部分采样电容以及反馈电容，在LSB转换期间主放大器具有显著的减载。从而可以使LSB的周期比MS...
- 一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路
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申请号：CN201510808575.0
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器...
- 一种基于变容二极管的双陷波可调的超宽带天线
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申请号：CN201510223889.4
申请日：20150505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于变容二极管的双陷波可调的超宽带天线，属于天线设计技术领域。该天线包括介质基板、辐射贴片、微带馈线、寄生条带结构、“U”形金属条带、金属带线及焊盘、接地板和同轴电缆；所述“U”形金属条带用于产生高频陷波...
- 一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构
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申请号：CN201510076359.1
申请日：20150212
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构，包括P/N衬底1、设置在P/N衬底上的部分复合埋氧层4和设置在部分复合埋氧层上的有源顶硅层2，所述部分复合埋氧层4包括并列设置的埋氧层3和复合埋层，所述复合埋层包括设置在...
- 基于SOC的北斗导航系统接收机抗攻击系统及其抗攻击方法
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申请号：CN201410250185.1
申请日：20140609
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：一种基于SOC的北斗导航系统接收机抗攻击系统,包括射频模块,该射频模块设置有用于接收卫星信号的天线,射频模块将天线接收到的信号降频和AD采样后将数字低频信号发送至基带处理模块；基带处理模块,该基带处理模块包括：用于将数字...
- 一种横向功率MOS高压器件
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申请号：CN201410174519.1
申请日：20140428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种横向功率MOS高压器件，包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型有源层、设置在N型有源层上的场氧化硅层和位于MOS器件顶端两侧的源电极区、漏电极区，其特征在于：所述P型衬底包括第1层P型硅层至第n层P型硅层，...
- 一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
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申请号：CN201410174541.6
申请日：20140428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
- 一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
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申请号：CN201410174541.6
申请日：20140428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
- 一种具有界面栅的SOI功率器件结构
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申请号：CN201310572042.8
申请日：20131116
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋...
- 一种具有界面栅的SOI功率器件结构
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申请号：CN201310572042.8
申请日：20131116
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋...
- 一种抗攻击的恶意软件识别方法及系统
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申请号：CN201310048083.7
申请日：20130206
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种抗攻击的恶意软件识别方法及系统，针对现有技术中传统的识别系统容易受到恶意攻击影响的缺陷而发明，本方法包括，设置识别器参数，将软件转化为向量，利用所述识别器识别该软件，输出识别结果，本发明方法和系统能够实现...
- 一种垃圾邮件的识别方法及系统
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申请号：CN201210566319.1
申请日：20121224
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种垃圾邮件的识别方法及系统，针对现有技术中当垃圾邮件中修改的关键词越多的时候，标准的识别算法，如支持向量机算法，性能下降得很快的缺陷而发明，本方法包括，设置识别器参数，将邮件转化为向量，利用所述识别器识别该...
- 一种垃圾邮件的识别方法及系统
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申请号：CN201210566319.1
申请日：20121224
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种垃圾邮件的识别方法及系统，针对现有技术中当垃圾邮件中修改的关键词越多的时候，标准的识别算法，如支持向量机算法，性能下降得很快的缺陷而发明，本方法包括，设置识别器参数，将邮件转化为向量，利用所述识别器识别该...
- 一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件
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申请号：CN201210298122.4
申请日：20120821
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底表面的N+漏区；本发明在常规的槽型场氧器...
- 一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件
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申请号：CN201210298122.4
申请日：20120821
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底表面的N+漏区；本发明在常规的槽型场氧器...
- 具有界面横向变掺杂的SOI耐压结构
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申请号：CN201110125782.8
申请日：20110516
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有界面横向变掺杂的SOI耐压结构，涉及一种半导体功率器件，包括衬底层、介质埋层、有源半导体层和界面横向变掺杂层，介质埋层设置于衬底层与有源半导体层之间，界面横向变掺杂层设置于介质埋层和有源半导体层之间，...