一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201210298122.4 

申 请 日：20120821 

发 明 人：胡盛东张玲甘平周喜川周建林刘海涛 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20121205 

公 开 号：CN102810553A 

代 理 人：赵荣之 

代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司11275 

摘　　要：本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底表面的N+漏区；本发明在常规的槽型场氧器件基础上，采用埋于整个衬底表面的N+漏区，器件开态时，载流子直接通过漏区N+和源区N+间的N-漂移区运动，较常规槽型场氧结构大大降低了载流子的漂移距离，从而有效降低器件在开态时候的导通电阻。该结构同样适用于基于SOI技术的功率器件。??全部 

主 权 项： 

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法律状态： 

IPC专利分类号：H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I