一种具有界面栅的SOI功率器件结构

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201310572042.8 

申 请 日：20131116 

发 明 人：胡盛东陈银晖金晶晶朱志武星河雷剑梅周喜川 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20160817 

公 开 号：CN103560145B 

代 理 人：赵荣之 

代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 

摘　　要：本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋氧层表面，当栅极打开时，界面栅为载流子提供额外的积累型沟道，所以可以有效降低器件导通电阻。同时，界面栅对漂移区的辅助耗尽效应，使得优化的器件漂移区掺杂浓度更高，进一步降低导通电阻。 

主 权 项：一种具有界面栅的SOI功率器件结构，从下向上依次设置有衬底P/N型硅层、埋氧层、n?漂移区和有源顶层硅，其特征在于：还包括槽型多晶硅栅，所述槽型多晶硅栅设置于n?漂移区和有源顶层硅一侧，所述槽型多晶硅栅一端与有源顶层硅平齐，另一端设置于埋氧层内；所述位于埋氧层内的槽型多晶硅栅沿埋氧层与衬底P/N型硅层交界面延伸形成界面多晶硅栅；所述界面多晶硅栅与有源顶层硅之间间隔设置有栅氧化层，与衬底P/N型硅层间隔设置有氧化层。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I