一种有两种载流子导电的超结功率MOSFET
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201810137190.X
申 请 日：20180210
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区正街174号
公 开 日：20180717
公 开 号：CN201810137190.X
代 理 人：韩晓银
代理机构：成都天汇致远知识产权代理事务所(普通合伙) 51264
摘 要：本发明公开了一种超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，其具有第一种导电类型的MOSFET及第二种导电类型的双极结型晶体管，并通过第一种导电类型的MOSFET及受所述MOSFET驱动的第二种导电类型的双极结型晶体管使第一种导电类型和第二种导电类型的载流子分别在所述半导体第一漂移区和所述半导体第二漂移区中流动，同时通过所述半导体少子阻挡区阻挡第二种导电类型的载流子进入所述半导体第一漂移区中，从而避免在所述耐压层中形成电导调制。本发明达到了在超结MOSFET中实现了两种载流子同时参与导电且保证同时不形成电导调制的目的。
主 权 项：1.一种超结功率MOSFET，其特征在于，其元胞结构包括：耐压层，其由相互接触的具有某一种导电类型的半导体第一漂移区以及具有与所述半导体第一漂移区的导电类型相反的导电类型的半导体第二漂移区构成；半导体衬底区，其与所述半导体第一漂移区的导电类型相反且在所述半导体衬底区表面覆盖有作为漏电极的导体；至少一个半导体体区，其与所述半导体第一漂移区的导电类型相反且与所述耐压层相互接触；至少一个半导体源区，与所述半导体第一漂移区的导电类型相同且位于所述半导体体区内；同时部分所述半导体源区和部分所述半导体体区通过导体相连以构成器件的源电极；栅绝缘层，其被覆盖在部分所述半导体源区、部分所述半导体体区以及部分所述耐压层的表面，并通过覆盖在所述栅绝缘层表面上的半导体多晶硅栅区以及部分覆盖在所述半导体多晶硅栅区上的导体构成栅电极，所述半导体多晶硅栅区与所述半导体第一漂移区所对应的导电类型相同；并由部分所述半导体源区、部分所述半导体体区、所述栅绝缘层、所述半导体多晶硅栅区、所述栅电极和部分所述耐压层构成所述晶体管的栅极结构；至少一个半导体缓冲区，其与所述半导体第一漂移区的导电类型相同且与所述半导体衬底区相互接触；至少一个半导体少子阻挡区，其与所述半导体第一漂移区的导电类型相同且位于所述半导体缓冲区之外或者位于所述半导体缓冲区之内；其中，部分所述源电极与所述栅极结构、所述半导体第一漂移区、所述半导体少子阻挡区、所述半导体衬底区和所述漏电极构成与所述半导体第一漂移区的导电类型相同的MOSFET；部分所述源电极与所述半导体体区、所述半导体第二漂移区、所述半导体缓冲区、部分所述半导体衬底区和所述漏电极构成与所述半导体第一漂移区的导电类型相反的双极结型晶体管。
关 键 词：导电类型;载流子;半导体;漂移区;双极结型晶体管;功率MOSFET;电导调制;超结;导电;半导体功率器件;超结MOSFET;耐压层;阻挡区;少子;阻挡;流动;保证
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L29/78;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/00;H01L29/423;H01L29/00;H01L21/336;H01L21/00;H;H01;H01L;H01L29;H01L21;H01L29/78;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/00;H01L29/423;H01L29/00;H01L21/336;H01L21/00