一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201410174541.6
申 请 日：20140428
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20140709
公 开 号：CN103915506A
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型硅条及下层N型硅条所组成；本发明在常规的功率LDMOS器件基础上，将类似超结结构的NPN漂移区、常规横向栅以及纵向槽型栅结合起来，只要至少一个栅极打开，器件即处于开态，而当两个栅极均打开时，器件为电子提供上下两个导通通道，所以可以有效降低器件导通电阻。另外，器件处于关态时，纵向的NPN结构的RESURF效应得以增强，可在较高掺杂浓度情况下获得高的击穿电压，进一步降低器件导通电阻。
主 权 项：一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件，其特征在于：包括第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域镜像对称；所述第一区域包括P?衬底(1)、有源顶层硅、横向多晶硅栅(11)、纵向多晶硅栅(12)、源电极区、漏电极区和场氧层(5)；所述有源顶层硅包括自上而下纵向排列的上层N型硅条(15)、中层P型硅条(16)及下层N型硅条(17)，所述源电极区包括设置在场氧层(5)内的源电极(4)、横向沟道源N+区(7)、纵向沟道源N+区(8)和源P+区(9)，其中横向沟道源N+区(7)和纵向沟道源N+区(8)位于源P+区(9)的左右两侧，所述横向沟道源N+区(7)、纵向沟道源N+区(8)和源P+区(9)三者并排设置于上层N型硅条(15)中且三者同时与源电极(4)下表面接触；所述漏电极区包括设置在场氧层(5)内的漏电极(3)和设置在上层N型硅条(15)中的漏N+区(6)，所述漏N+区(6)与漏电极(3)的下表面接触，所述横向多晶硅栅(11)设置在场氧
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I