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一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201510076359.1
申 请 日：20150212
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20150527
公 开 号：CN104659102A
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明公开了一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构，包括P/N衬底1、设置在P/N衬底上的部分复合埋氧层4和设置在部分复合埋氧层上的有源顶硅层2，所述部分复合埋氧层4包括并列设置的埋氧层3和复合埋层，所述复合埋层包括设置在P/N衬底上的底层埋氧层7、设置底层埋氧层上的中间多晶硅层6和设置在中间多晶硅层上的首层埋氧层5。本发明在常规的SOI耐压结构基础上，将埋氧层的一部分替换为“首层氧化层-中间多晶硅层-底层氧化层”的复合埋层结构。关态时复合埋层与埋氧层界面位置出现新电场峰，因而击穿电压更高，且满足RESURF条件的有源顶层硅内杂质浓度更高，开态导通电阻更低。另外，由于多晶硅热导率高于氧化硅，本结构导热性能更好。
主 权 项：一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构，包括P/N衬底(1)、设置在P/N衬底上的部分复合埋氧层(4)和设置在部分复合埋氧层上的有源顶硅层(2)，其特征在于：所述部分复合埋氧层(4)包括并列设置的埋氧层(3)和复合埋层，所述复合埋层包括设置在P/N衬底上的底层埋氧层(7)、设置底层埋氧层上的中间多晶硅层(6)和设置在中间多晶硅层上的首层埋氧层(5)。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I