专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201510810278.X
申 请 日:20151119
发 明 人:唐枋殷鹏陈卓周喜川胡盛东甘平李世平叶楷舒洲陈银晖谭跃王忠杰黄莎琳李明东
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日:20180403
公 开 号:CN105245230B
代 理 人:赵荣之
代理机构:北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要:本发明公开了一种循环ADC的乘法数模转换器电路,包括容值可变的取样电容单元、容值可变的反馈电容单元和放大器,本发明通过浮动调整部分采样电容以及反馈电容,在LSB转换期间主放大器具有显著的减载。从而可以使LSB的周期比MSB的周期运行的更快。所提出的电容缩放技术仅介绍了由于残留电压放大而产生的可忽略的额外的量化噪声,在0.18um的CMOS中硅也正是表现出此特性。
主 权 项:一种循环ADC的乘法数模转换器电路,其特征在于:包括容值可变的取样电容单元、容值可变的反馈电容单元和放大器,所述取样电容单元的输入端、反馈电容单元的输入端经第一开关(Ps_d)分别与输入端连接,所述取样电容单元还通过第二开关(Pa)与控制信号连接,所述取样电容单元的输出端经第九开关(Psf)与电压单元(VCM)的一端连接,所述电压单元(VCM)的另一端经第十开关(Ps)与放大器的输入端连接,所述取样电容单元的输出端经第二开关与反馈电容单元的输入端连接,且反馈电容单元的输入端与放大器的输入端连接,反馈电容单元的输出端经第四开关(nPs_d)与放大器的输出端连接,所述放大器的输出端经第三开关(Pf)与取样电容单元的输入端连接;所述放大器包括NMOS管M1~M4和PMOS管M5~M8,NMOS管M1的栅极作为放大器的输入端,NMOS管M1的漏极分别与NMOS管M3的栅极、NMOS管M2的源极连接,NMOS管M2的栅极分别与NMOS管M3的漏极、PMOS管M8的漏极连接,PMOS管M8的栅极接外部信号VBP,PMOS管M7、M8的源极接电源,所述NMOS管M2的漏极作为放大器的输出端,NMOS管M2的漏极与PMOS管M5的漏极连接,PMOS管M5的源极分别与PMOS管M7的栅极、PMOS管M6的漏极连接,所述PMOS管M6的源极接电源,所述PMOS管M6的栅极与NMOS管M1的栅极连接,所述PMOS管M5的栅极分别与PMOS管M7的漏极、NMOS管M4的漏极连接,NMOS管M4的栅极接外部信号VBN,PMOS管M7的源极接电源,所述NMOS管M1、NMOS管M3和NMOS管M4的源极接低电平。
关 键 词:乘法;传感器;拓扑;图像;循环 ADC;读出;CMOS;采样;取样;噪声;放大器;模转换器电路;反馈电容;电容单元;容值;运行;公开;介绍;电压;并行;
法律状态:授权
IPC专利分类号:H03M1/12(2006.01)I