具有界面横向变掺杂的SOI耐压结构

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201110125782.8 

申 请 日：20110516 

发 明 人：胡盛东周建林甘平周喜川张玲 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20110921 

公 开 号：CN102194832A 

代 理 人：赵荣之 

代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司11275 

摘　　要：本发明公开了一种具有界面横向变掺杂的SOI耐压结构，涉及一种半导体功率器件，包括衬底层、介质埋层、有源半导体层和界面横向变掺杂层，介质埋层设置于衬底层与有源半导体层之间，界面横向变掺杂层设置于介质埋层和有源半导体层之间，本发明采用在介质埋层上界面的有源半导体层内设置横向可变掺杂层，使得该结构用于半导体功率器件中时，横向可变掺杂层末端界面处顶层硅内掺杂浓度较高，从而有效提高器件纵向耐压和器件横向耐压，因此该结构可有效的提高整个器件的耐压，缓解了整个有源半导体层横向变掺杂结构源端掺杂浓度过低而产生的“热点”区问题，并且可以在厚有源半导体层中实现。??全部 

主 权 项：??具有界面横向变掺杂的SOI耐压结构，包括衬底层、介质埋层、有源半导体层，所述介质埋层设置于衬底层与有源半导体层之间，其特征在于：还包括设置有界面横向变掺杂层，所述界面横向变掺杂层设置于介质埋层和有源半导体层之间。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I