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一种横向功率MOS高压器件
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201410174519.1
申 请 日：20140428
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20140716
公 开 号：CN103928526A
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明公开了一种横向功率MOS高压器件，包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型有源层、设置在N型有源层上的场氧化硅层和位于MOS器件顶端两侧的源电极区、漏电极区，其特征在于：所述P型衬底包括第1层P型硅层至第n层P型硅层，所述n层P型硅层与(n-1)层P型硅层之间设置有若干不连续的N+区，所述N+区与P硅层底形成NP结；其中，n大于等于2。本发明以优化漂移区横向电场达到提高器件耐压的目的，通过在多层P型衬底界面注入不连续的N+区，使得衬底电势钉扎，一方面在衬底中引入新的电场峰值，降低漏端下方主结电场达到辅助衬底耗尽的目的，使得漂移区与衬底形成的NP结的纵向电场值降低从而在保证器件不击穿的条件下优化器件横向电场的目的。
主 权 项：一种横向功率MOS高压器件，包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型有源层、设置在N型有源层上的场氧化硅层和位于MOS器件顶端两侧的源电极区、漏电极区，其特征在于：所述P型衬底包括第1层P型硅层至第n层P型硅层，所述n层P型硅层与(n?1)层P型硅层之间设置有若干不连续的N+区，所述N+区与P硅层底形成NP结；其中，n大于等于2。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I