一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201811159206.3
申 请 日：20180930
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20190215
公 开 号：CN201811159206.3
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件，首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱，在器件关态时，与漂移区中的N型漂移区形成一系列反向PN结结构，承担一部分耐压，从而将器件的电场引入器件内部，优化整个有源顶层硅内的电场分布和提升器件的击穿电压。另一方面，漂移区中形成的超结结构辅助耗尽漂移区，从而提升漂移区的掺杂浓度，达到降低器件开态时导通电阻的目的。综上，本发明的结构能在提高器件击穿电压的同时降低器件的导通电阻，缓解了功率器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾。
主 权 项：1.一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件，其特征在于，包括N+型衬底(1)、P柱区(2)、N型漂移区(3)，二氧化硅隔离墙(4)、源电极(11)、栅电极(12)以及漏电极(13)，所述有源顶层硅包括P+源区(7)、N+源区(8)、P?base区(9)以及栅氧区(10)；所述N+型衬底上依次排列P柱区(2)、N型漂移区(3)、二氧化硅隔离柱(4)、阶梯浓度多晶硅侧墙柱一(5)、阶梯浓度多晶硅侧墙柱二(6)；所述漏电极(13)位于N+型衬底(1)下方，所述阶梯浓度多晶硅侧墙柱根据浓度不同进行垂直分区，所述阶梯浓度多晶硅侧墙结构根据需要设置大于等于2的阶梯数。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L29/78;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/00;H;H01;H01L;H01L29;H01L29/78;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/00