一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201510808575.0 

申 请 日：20151119 

发 明 人：唐枋李世平周喜川胡盛东甘平叶楷舒洲陈卓殷鹏陈银晖谭跃王忠杰黄莎琳李明东 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 

公 开 日：20160316 

公 开 号：CN105404739A 

代 理 人：赵荣之 

代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 

摘　　要：本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器的输入端连接并同时接输入信号；所述反相器的输出端作为整个电路的输出端，所述PMOS管M2的漏极分别与NMOS管M1的源极、NMOS管M1的漏极连接，所述NMOS管M1的栅极与NMOS管M5的栅极分别接地，所述NMOS管M5的源极与漏极连接并悬空。本发明具有良好的物理唯一性和物理不可复制性，由于ID产生电路使用的晶体管的减少，从而进一步降低了芯片的面积。其内部节点不需要周期性翻转，因此，仅在读取数据的时候消耗极小的能量，使得此发明满足低功耗的要求，具有恒稳定性、功耗低、面积小的优点，从而也降低了成本。 

主 权 项：一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，其特征在于：包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器的输入端连接并同时接输入信号；所述反相器的输出端作为整个电路的输出端，所述PMOS管M2的漏极分别与NMOS管M1的源极、NMOS管M1的漏极连接，所述NMOS管M1的栅极与NMOS管M5的栅极分别接地，所述NMOS管M5的源极与漏极连接并悬空。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：G06F17/50(2006.01)I