一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201210298122.4
申 请 日：20120821
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20150325
公 开 号：CN102810553B
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底表面的N+漏区；本发明在常规的槽型场氧器件基础上，采用埋于整个衬底表面的N+漏区，器件开态时，载流子直接通过漏区N+和源区N+间的N-漂移区运动，较常规槽型场氧结构大大降低了载流子的漂移距离，从而有效降低器件在开态时候的导通电阻。该结构同样适用于基于SOI技术的功率器件。
主 权 项：一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，其特征在于：所述有源顶层硅包括纵向沟道、N?漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底P型硅层表面的N+漏区，所述纵向沟道设置于N?漂移区上方，所述N?漂移区与P型硅区，所述P型硅区与槽型场氧接触，所述N?漂移区、P型硅区和槽型场氧分别与埋于整个衬底P型硅层表面的N+漏区接触；所述有源顶层硅还设置有N+源区、P+源区和P阱，所述P+源区和P阱直接接触于槽型场氧，所述N+源区与P+源区接触，所述N+源区和P+源区分别与P阱接触，所述P阱分别与N?漂移区、P型硅区，所述N+源区和P阱分别与纵向沟道接触，所述P型硅区介于N?漂移区和槽型场氧之间，所述N+漏区上方设置有漏电极，所述P阱设置有槽型栅氧化层和栅电极，槽型栅氧化层和栅电极垂直于P阱并与P阱接触，所述N+源区和P+源区
关 键 词：
法律状态：授权
IPC专利分类号：H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I