一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201810403053.6
申 请 日：20180428
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180918
公 开 号：CN201810403053.6
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明涉及一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件，属于半导体功率器件领域。该器件包括衬底N+硅层、有源顶层硅和槽形结构；所述衬底N+硅层下方设置有漏电极；所述有源顶层硅设置有P型硅区、N?漂移区、N+源区、P+源区和P阱；所述槽形结构设置有栅氧化层、栅电极和介质槽；所述N+源区和P+源区上方设置有源电极；所述衬底N+硅层下方设置有漏电极。本发明增强漂移区的电场调制效应，提高了击穿电压，同时使漂移区可以进行更高浓度的掺杂，从而有效降低器件在开态时候的导通电阻。
主 权 项：1.一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件，其特征在于：该器件包括衬底N+硅层(1)、有源顶层硅和槽形结构；所述有源顶层硅包含有P型硅区(3)和N?漂移区(2)；所述P型硅区(3)设置于N?漂移区(2)左方；所述P型硅区(3)与N?漂移区(2)接触；所述N?漂移区(2)与槽形结构接触；所述N?漂移区(2)、P型硅区(3)和槽形结构分别与衬底N+硅层(1)接触。
关 键 词：源区;介质槽;漂移区;衬底;硅层;槽形结构;顶层硅;漏电极;碳化硅;超结;半导体功率器件;导通电阻;电场调制;击穿电压;降低器件;栅氧化层;源电极;栅电极;开态;掺杂
法律状态：生效
IPC专利分类号：H01L29/43;H01L29/00;H01L29/78;H01L29/00;H01L29/423;H01L29/00;H;H01;H01L;H01L29;H01L29/43;H01L29/00;H01L29/78;H01L29/00;H01L29/423;H01L29/00