检索结果分析
- 一种新型的正交狭缝光波导结构及制造方法
-
申请号：CN201410579910.X
申请日：20141023
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种新型的正交狭缝光波导结构及制造方法,包括衬底(101),位于衬底(101)上的单晶硅层(102)及位于单晶硅层(102)上的正交狭缝结构,正交狭缝结构包括：正交结构的狭缝区域(104,105,107),位...
- 一种正交狭缝光波导结构及制造方法
-
申请号：CN201410579910.X
申请日：20141023
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种新型的正交狭缝光波导结构及制造方法,包括衬底(101)，位于衬底(101)上的单晶硅层(102)及位于单晶硅层(102)上的正交狭缝结构，正交狭缝结构包括：正交结构的狭缝区域(104，105，107)，位...
- 带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法
-
申请号：CN201410244145.6
申请日：20140604
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法，该MOSFET器件包括源区、漏区和导电沟道区，栅介质层，栅极，绝缘介质层，压应变薄膜应变层，栅介质层形成在半导体材料的第一表面上，且位于导电沟道区的...
- 带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
-
申请号：CN201410244666.1
申请日：20140604
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，...
- 带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
-
申请号：CN201410244666.1
申请日：20140604
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，...
- 带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
-
申请号：CN201410185612.2
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器,其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn,弛豫层上面是应变源势垒n+型SiGe与p+型SiGe,成对生长在有源区GeSn的四周区域,应变源势垒SiGe的一端为金属接触电...
- 带有应变源的GeSn红外探测器
-
申请号：CN201410185529.5
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n<sup>+</sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，G...
- 带有应变源的GeSn红外探测器
-
申请号：CN201410185529.5
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n<sup>+</sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，G...
- 带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
-
申请号：CN201410185612.2
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn，弛豫层上面是应变源势垒n<sup>+</sup>型SiGe与p<sup>+</sup>型SiGe，成对生长在有源区GeSn的四...
- 无掺杂GeSn量子阱的金属氧化物半导体场效应晶体管
-
申请号：CN201410080145.7
申请日：20140306
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有无掺杂GeSn量子阱的pMOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上生长半导体材料（103），半导体材料（103）上面为GeSn沟道（101），在沟道和栅（106）之间是绝缘介电质...
- 带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
-
申请号：CN201410057722.0
申请日：20140220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有源应变源的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括GeSn?n沟道、源极、漏极、源应变源、绝缘介电质薄膜和栅电极。所述源应变源（102）生长在源极区域（101），GeSn?n沟道上生长绝缘介...
- 双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
-
申请号：CN201410057748.5
申请日：20140220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括衬底（101）、源极（102）、漏极（104）、GeSn?n沟道（103）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源极、n沟道、漏...
- 双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
-
申请号：CN201410057748.5
申请日：20140220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括衬底（101）、源极（102）、漏极（104）、GeSn?n沟道（103）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源极、n沟道、漏...
- 带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
-
申请号：CN201410057722.0
申请日：20140220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有源应变源的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括GeSn?n沟道、源极、漏极、源应变源、绝缘介电质薄膜和栅电极。所述源应变源（102）生长在源极区域（101），GeSn?n沟道上生长绝缘介...
- 压应变GeSnp沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
-
申请号：CN201410015476.2
申请日：20140219
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种压应变GeSnp沟道MOSFET。该MOSFET(10)结构包括：衬底（101）、弛豫SiGeSn缓冲层（107），源和漏（102,103）、GeSn沟道（104）、栅电极绝缘介电质层（105）以及栅电极（...
- 压应变GeSn p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
-
申请号：CN201410015476.2
申请日：20140219
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种压应变GeSn?p沟道MOSFET。该MOSFET(10)结构包括：衬底（101）、弛豫SiGeSn缓冲层（107），源和漏（102，103）、GeSn沟道（104）、栅电极绝缘介电质层（105）以及栅电极...
- 双轴张应变GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
-
申请号：CN201310752794.2
申请日：20131231
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底（101）、源极和漏极（102,103）、GeSn沟道（104）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源漏区域材料的晶格常...
- 带有源漏应变源的GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
-
申请号：CN201310752768.X
申请日：20131231
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有源漏应变源的GeSn n沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：源漏应变源（106）生长在源漏极区域（101），GeSn沟道上生长绝缘介电质薄膜（104），绝缘介电质薄膜上覆盖一层柵（105...
- 双轴张应变GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
-
申请号：CN201310752794.2
申请日：20131231
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底（101）、源极和漏极（102,103）、GeSn沟道（104）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源漏区域材料的晶格常...
- 带有InAlP盖层的Ge沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
-
申请号：CN201310259926.8
申请日：20130626
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有InAlP盖层的Ge沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上的Ge沟道（101），Ge沟道上面为InAlP盖层（102），在InAlP盖层和栅（106）之间是绝缘介电质薄膜...
- 带有InAlP盖层的GeSn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
-
申请号：CN201310259307.9
申请日：20130626
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有InAlP盖层的GeSn沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上的GeSn沟道（101），GeSn沟道上面为InAlP盖层（102），在InAlP盖层和栅（106）之间是绝...