一种新型的正交狭缝光波导结构及制造方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201410579910.X
申 请 日：20141023
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20150107
公 开 号：CN104267463A
代 理 人：郭云
代理机构：重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211
摘 要：本发明公开了一种新型的正交狭缝光波导结构及制造方法,包括衬底(101),位于衬底(101)上的单晶硅层(102)及位于单晶硅层(102)上的正交狭缝结构,正交狭缝结构包括：正交结构的狭缝区域(104,105,107),位于狭缝区域(104,105,107)正交交汇的中心区域(108)及包围狭缝区域(104,105,107)的周围区域(103,106),中心区域(108)的折射率小于狭缝区域(104,105,107)的折射率,周围区域(103,106)的折射率大于狭缝区域(104,105,107)的折射率。本发明实现光场在狭缝结构中传输时的二维限制,并且通过调整结构尺寸和狭缝区域的材料,可以实现波导的色散与非线性特性的有效调节。
主 权 项：一种新型的正交狭缝光波导结构,其特征在于,包括衬底(101),位于所述衬底(101)上的单晶硅层(102)及位于所述单晶硅层(102)上的正交狭缝结构,所述正交狭缝结构包括：正交结构的狭缝区域(104,105,107),位于所述狭缝区域(104,105,107)正交交汇处的中心区域(108)及包围所述狭缝区域(104,105,107)的周围区域(103,106),所述中心区域(108)的折射率小于所述狭缝区域(104,105,107)的折射率,所述周围区域(103,106)的折射率大于所述狭缝区域(104,105,107)的折射率。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：G02B6/122;G02B6/136