双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201410057748.5 

申 请 日：20140220 

发 明 人：刘艳韩根全王洪娟 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20150422 

公 开 号：CN103824880B 

代 理 人：康海燕 

代理机构：重庆华科专利事务所 50123 

摘　　要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括衬底（101）、源极（102）、漏极（104）、GeSn?n沟道（103）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源极、n沟道、漏极形成竖直的器件结构。源极区域材料的晶格常数比GeSn?n沟道（103）晶格常数大。GeSn?n沟道形成XY面内的双轴张应变，这种应变有利于沟道GeSn从间接带隙转变为直接带隙，从而发生直接量子隧穿，隧穿电流增大，进而提高器件性能。 

主 权 项：一种带有双轴张应变的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管，其特征在于，具有一GeSn?n沟道、一衬底、一源极、一漏极、一绝缘介质薄膜、一栅电极；????所述源极是通过外延生长或是键合的方式生长在衬底上，其材料为弛豫的单晶半导体材料GeSn，源极、n沟道、漏极形成竖直的器件结构；所述绝缘介电质薄膜环绕生长在GeSn?n沟道上；所述栅电极覆盖在绝缘介电质薄膜上；所述源极材料的晶格常数比?n沟道GeSn晶格常数大；形成沿沟道方向的单轴压应变，沿垂直沟道的平面内的双轴张应变；所述?n沟道GeSn材料的通式为Ge_1?xSn_x，其中0≤x≤0.25；所述源极GeSn材料的通式为Ge_1?ySn_y其中，0≤y≤0.25，y>x；所述衬底和漏极采用的是单晶Ge材料。 

关 键 词： 

法律状态：授权 

IPC专利分类号：H01L29/739(2006.01)I;H01L29/161(2006.01)I