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压应变GeSnp沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN201410015476.2 

申 请 日:20140219 

发 明 人:韩根全刘艳赵斌 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日:20140430 

公 开 号:CN103762242A 

代 理 人:康海燕 

代理机构:重庆华科专利事务所 50123 

摘  要:本发明提供一种压应变GeSnp沟道MOSFET。该MOSFET(10)结构包括:衬底(101)、弛豫SiGeSn缓冲层(107),源和漏(102,103)、GeSn沟道(104)、栅电极绝缘介电质层(105)以及栅电极(106)。SiGeSn缓冲层(107)层的晶格常数比GeSn沟道(104)晶格常数小,GeSn沟道形成XY面内的双轴压应变。这种应变可提高GeSn沟道(104)空穴迁移率,从而提高MOSFET性能。 

主 权 项:一种双轴压应变GeSn?p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,其特征在于,包括:一衬底(101);一弛豫SiGeSn缓冲层(107),位于衬底上;一GeSn沟道(104),位于所述?SiGeSn层(107)上;一栅电极绝缘介电质层(105),位于沟道上;一栅电极(106),位于所述栅电极绝缘介电质层上;一源极(102)与一漏极(103),分别位于所述栅电极(106)的两侧;所述弛豫SiGeSn缓冲层晶格常数比GeSn沟道层晶格常数小。 

关 键 词: 

法律状态:公开 

IPC专利分类号:H01L29/78(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I