带有源漏应变源的GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201310752768.X 

申 请 日：20131231 

发 明 人：刘艳韩根全刘明山 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20141015 

公 开 号：CN103681868B 

代 理 人：康海燕 

代理机构：重庆华科专利事务所 50123 

摘　　要：本发明提供一种带有源漏应变源的GeSn n沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：源漏应变源（106）生长在源漏极区域（101），GeSn沟道上生长绝缘介电质薄膜（104），绝缘介电质薄膜上覆盖一层柵（105）。源漏应变源（106）的晶格常数比源漏极区（101）大，形成对沟道区的应变，该应变在yz平面内为双轴张应变，在x方向为单轴压应变。这种应变有利于GeSn沟道Γ点下移，使间接带隙结构利于转化为直接带隙结构，Γ点参与导电的电子数目大大增加，从而提高MOSFET性能。 

主 权 项：一种带有源漏应变源的GESN?N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：一沟道103，为单晶GESN材料；一绝缘介电质薄膜104，位于沟道上；一栅电极105，位于所述绝缘介电质薄膜上；一源极101与一漏极102，材料为单晶GESN；一源极应变源106与一漏极应变源，分别位于源和漏上，材料为单晶GESN；其中源漏应变源的晶格常数比沟道区域的晶格常数大。 

关 键 词： 

法律状态：变更 

IPC专利分类号：H01L29/10; H01L29/78