带有应变源的GeSn量子阱红外发光器

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201410185612.2 

申 请 日：20140505 

发 明 人：刘艳韩根全张庆芳王轶博 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20150121 

公 开 号：CN104300049A 

代 理 人：康海燕 

代理机构：重庆华科专利事务所 50123 

摘　　要：本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器,其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn,弛豫层上面是应变源势垒n+型SiGe与p+型SiGe,成对生长在有源区GeSn的四周区域,应变源势垒SiGe的一端为金属接触电极。应变源SiGe材料的晶格常数比有源区GeSn材料的小,从而对有源区GeSn材料形成沿z轴方向的单轴压应变,沿xy平面的双轴张应变,这种应变状态有利于GeSn材料从间接带隙变成直接带隙；通过GeSn与SiGe形成异质结量子阱结构,实现电子-空穴快速高效的辐射复合。这种结构能有效地将电子、空穴束缚在阱内,增大电子、空穴对的复合几率,从而提高发光器的发光效率。 

主 权 项：一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器,其特征在于,包括：一弛豫层(102),生长在硅衬底(101)之上；一有源区(103),为单晶GeSn材料,位于弛豫层(102)之上；一第一应变源(105),为单晶n||sup||+||/sup||型SiGe材料,与第二应变源(106),为单晶p||sup||+||/sup||型SiGe材料,它们位于弛豫层(102)之上,并成对分布于有源区(103)四周区域；一第一电极(107),与第一应变源(105)相连；一第二电极(108),与第二应变源(106)相连；其中应变源材料的晶格常数比有源区材料的晶格常数小；应变源材料的带隙比有源区材料的带隙宽。 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：H01L33/06;H01L33/34