带有应变源的GeSn红外探测器

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201410185529.5 

申 请 日：20140505 

发 明 人：刘艳韩根全张庆芳王轶博 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20150121 

公 开 号：CN201410185529.5 

代 理 人：康海燕 

代理机构：重庆华科专利事务所 50123 

摘　　要：本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n⁺型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，GeSn光吸收阵列的顶部为p⁺型GeSn金属接触阵列105，应变源阵列的顶部为p⁺型SiGe金属接触阵列106，第一电极107环绕在探测器的光照区金属接触阵列之上，第二电极108在n⁺型衬底之上。其中应变源阵列104的材料的晶格常数比光吸收阵列103的材料小，形成对光吸收区的应变，该应变在xy平面内为双轴张应变，在z方向为单轴压应变。这种应变有利于GeSn沟道Γ点下移，使直接带隙E_gΓ宽度减小，从而展宽探测器的光响应范围。 

主 权 项：一种带有应变源的GeSn红外探测器，其特征在于，包括：一n⁺型Si衬底（101）；???一弛豫层（102），位于n⁺型Si衬底（101）之上；一光吸收阵列（103），为单晶GeSn材料，分布于弛豫层（102）之上，每个光吸收单元为方形柱；一应变源阵列（104），为单晶SiGe材料，每个应变源单元为矩形柱，四个应变源单元围绕分布于一个光吸收单元的四面，连接相邻的光吸收单元；一p⁺型GeSn金属接触阵列（105），为单晶p⁺型GeSn，对应位于光吸收阵列上；一p⁺型SiGe金属接触阵列（106），为单晶p⁺型SiGe，对应位于应变源阵列上；?一探测第一电极（107），环绕在探测器的光照区金属接触阵列顶端，将p⁺型金属接触阵列连接起来；一探测第二电极（108），位于n⁺型衬底之上；其中应变源阵列材料的晶格常数比光吸收阵列材料的晶格常数小。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：H01L31/028;H01L31/00;H01L31/09;H01L31/00;H01L31/18;H01L31/00;H;H01;H01L;H01L31;H01L31/028;H01L31/00;H01L31/09;H01L31/00;H01L31/18;H01L31/00