带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201410244145.6
申 请 日：20140604
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20170301
公 开 号：CN104022152B
代 理 人：郭云
代理机构：重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211
摘 要：本发明提出了一种带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法，该MOSFET器件包括源区、漏区和导电沟道区，栅介质层，栅极，绝缘介质层，压应变薄膜应变层，栅介质层形成在半导体材料的第一表面上，且位于导电沟道区的第一导电面的侧面和第二导电面的侧面；栅极形成在半导体材料的第一表面上，且位于所述栅介质层的侧面；绝缘介质层形成在栅极、源区和漏区的侧壁上；压应变薄膜应变层形成在绝缘介质层的侧壁上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的压应变。本发明器件表面覆盖一层压应变薄膜应变层，在沟道区域引入沿沟道方向上较大的压应变，有利于减小空穴有效质量，提高空穴迁移率，提高器件工作电流，导通电阻降低。
主 权 项：一种带有压应变薄膜应变源的双栅P沟道MOSFET，特征在于，包括：半导体材料，所述半导体材料具有第一表面和第二表面，在所述半导体材料的第一表面上形成源区、漏区和导电沟道区，所述源区、漏区和导电沟道区的连接线与所述半导体材料的第一表面平行，所述源区、漏区和导电沟道区均凸出于所述半导体材料相同的高度，所述导电沟道区位于所述源区和漏区之间，所述导电沟道具有第一导电面和第二导电面；所述导电沟道区的掺杂类型为N型，所述源区和漏区的掺杂为P型；栅介质层，所述栅介质层形成在所述半导体材料的第一表面上，且位于所述导电沟道区的第一导电面的侧面和第二导电面的侧面；栅极，所述栅极形成在所述半导体材料的第一表面上，且位于所述栅介质层的侧面；绝缘介质层，所述绝缘介质层形成在所述栅极、源极和漏极的侧壁上；压应变薄膜应变层，所述压应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的压应变；源区电极和漏区电极，所述源区电极与所述源区接触，所述漏区电极与所述漏区接触。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L29/78; H01L21/336