一种正交狭缝光波导结构及制造方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201410579910.X
申 请 日：20141023
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20160302
公 开 号：CN104267463B
代 理 人：郭云
代理机构：重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211
摘 要：本发明公开了一种新型的正交狭缝光波导结构及制造方法,包括衬底(101)，位于衬底(101)上的单晶硅层(102)及位于单晶硅层(102)上的正交狭缝结构，正交狭缝结构包括：正交结构的狭缝区域(104，105，107)，位于狭缝区域(104，105，107)正交交汇的中心区域(108)及包围狭缝区域(104，105，107)的周围区域(103，106)，中心区域(108)的折射率小于狭缝区域(104，105，107)的折射率，周围区域(103，106)的折射率大于狭缝区域(104，105，107)的折射率。本发明实现光场在狭缝结构中传输时的二维限制，并且通过调整结构尺寸和狭缝区域的材料，可以实现波导的色散与非线性特性的有效调节。
主 权 项：一种正交狭缝光波导结构，包括衬底(101)，其特征在于，位于所述衬底(101)上的单晶硅层(102)及位于所述单晶硅层(102)上的正交狭缝结构，所述正交狭缝结构包括：正交结构的狭缝区域(104，105，107)，位于所述狭缝区域(104，105，107)正交交汇处的中心区域(108)及包围所述狭缝区域(104，105，107)的周围区域(103，106)，所述中心区域(108)的折射率小于所述狭缝区域(104，105，107)的折射率，所述周围区域(103，106)的折射率大于所述狭缝区域(104，105，107)的折射率。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：G02B6/122(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I