带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201410057722.0 

申 请 日：20140220 

发 明 人：刘艳韩根全王洪娟 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20150520 

公 开 号：CN103824885B 

代 理 人：康海燕 

代理机构：重庆华科专利事务所 50123 

摘　　要：本发明提供一种带有源应变源的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括GeSn?n沟道、源极、漏极、源应变源、绝缘介电质薄膜和栅电极。所述源应变源（102）生长在源极区域（101），GeSn?n沟道上生长绝缘介电质薄膜（105），绝缘介电质薄膜上覆盖一层栅（104）。源应变源（102）的晶格常数比源极区（101）大，形成对沟道区的应变，在yz平面内为双轴张应变，在x方向为单轴压应变。该应变有利于n沟道GeSn从间接带隙变成直接带隙，从而形成直接量子隧穿，隧穿电流增大，进而提高TFET的性能。 

主 权 项：一种带有源应变源的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：一n沟道（103），为GeSn单晶材料；一绝缘介电质薄膜（105），位于沟道上；一栅电极（104），位于所述绝缘介电质薄膜上；一源极（101）和一漏极（106），均为单晶GeSn材料；一源应变源（102），位于源极之上；其中，源应变源的晶格常数比源极的晶格常数大，形成沿沟道方向的单轴压应变，沿垂直沟道的平面内形成双轴张应变；所述?n沟道的单晶GeSn材料通式为Ge_1?xSn_x，其中0≤x≤0.25；所述源极的单晶GeSn材料通式为Ge_1?xSn_x，其中0≤x≤0.25；所述源应变源采用的单晶半导体材料GeSn的通式为Ge_1?ySn_y，其中0≤y≤0.25，y>x。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I