带有InAlP盖层的GeSn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201310259307.9 

申 请 日：20130626 

发 明 人：韩根全刘艳 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20130918 

公 开 号：CN103311306A 

代 理 人：康海燕 

代理机构：重庆华科专利事务所 50123 

摘　　要：本发明提供一种带有InAlP盖层的GeSn沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上的GeSn沟道（101），GeSn沟道上面为InAlP盖层（102），在InAlP盖层和栅（106）之间是绝缘介电质薄膜（103），绝缘间隙壁（107）隔开栅与源/漏极区域（104，105），绝缘间隙壁隔开InAlP盖层与源/漏区域。InAlP具有比GeSn更大的禁带宽度，在InAlP和GeSn的界面价带和导带处形成有效的带阶，将导电载流子限制在GeSn沟道层中。 

主 权 项：一种带有InAlP盖层的GeSn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：一基底，其上具有一GeSn沟道；一InAlP盖层，位于所述GeSn沟道上；一绝缘介电质薄膜，位于所述InAlP盖层上；一栅电极，位于所述绝缘介电质薄膜上；一源极与一漏极，分别位于所述栅电极的两侧；第一绝缘间隙壁，位于所述栅极和源极之间，隔开栅极和源极；第二绝缘间隙壁，位于所述栅极和漏极之间，隔开栅极和漏极。 

关 键 词： 

法律状态：撤回 

IPC专利分类号：H01L29/78(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I