压应变GeSn p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201410015476.2 

申 请 日：20140219 

发 明 人：刘艳韩根全赵斌 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20150429 

公 开 号：CN103762242B 

代 理 人：康海燕 

代理机构：重庆华科专利事务所 50123 

摘　　要：本发明提供一种压应变GeSn?p沟道MOSFET。该MOSFET(10)结构包括：衬底（101）、弛豫SiGeSn缓冲层（107），源和漏（102，103）、GeSn沟道（104）、栅电极绝缘介电质层（105）以及栅电极（106）。SiGeSn缓冲层（107）层的晶格常数比GeSn沟道（104）晶格常数小，GeSn沟道形成XY面内的双轴压应变。这种应变可提高GeSn沟道（104）空穴迁移率，从而提高MOSFET性能。 

主 权 项：一种双轴压应变GeSn?p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：一衬底（101）；一弛豫SiGeSn缓冲层（107），位于衬底上；其中弛豫SiGeSn缓冲层为单晶SiGeSn材料，其通式为Si_1?x?yGe_xSn_y?（0≤x<1,?0≤y?<?0.30）；一GeSn沟道（104），位于所述?SiGeSn层（107）上的压应变的?GeSn?材料层中段；一栅电极绝缘介电质层（105），位于沟道上；一栅电极（106），位于所述栅电极绝缘介电质层上;一源极（102）与一漏极（103），分别位于所述栅电极（106）的两侧，是在压应变的?GeSn?材料层上利用离子注入和热退火技术形成，源极和漏极材料与沟道材料一致；所述弛豫SiGeSn缓冲层晶格常数比GeSn沟道层晶格常数小。 

关 键 词： 

法律状态：授权 

IPC专利分类号：H01L29/78(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I