检索结果分析

- 具有新型栅极连接结构的功率模块
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申请号:CN201920526152.3
申请日:20190418
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本实用新型公开了一种具有新型栅极连接结构的功率模块。所述功率模块包括正极金属片、负极金属片、输出金属片、第一MOSFET芯片、第一二极管芯片、栅极连接结构、第二MOSFET芯片、第二二极管芯片;栅极连接结构材质由导电材质...
- 插层DBC功率模块
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申请号:CN201920432847.5
申请日:20190401
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本实用新型公开了一种插层DBC功率模块,所述插层DBC功率模块,包括第一DBC板、第二DBC板、第三DBC板、第一二极管芯片、第一功率器件芯片、第二功率器件芯片、第二二极管芯片、芯片焊料层、下半桥栅极输入端子、上半桥栅极...
- 功率模块封装结构优化方法
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申请号:CN201810625705.0
申请日:20180618
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明提供的一种功率模块封装结构优化方法,包括如下步骤:S1.确定出功率模块的封装结构;S2.确定出封装结构的优化尺寸目标;S3.建立功率循环寿命的模型以及影响温度循环寿命的各层单位体积非弹性工作密度模型;S4.采用非支...
- 基于物理模型和道路特征参数的电动汽车目标路段能耗预测方法
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申请号:CN201810601953.1
申请日:20180612
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明涉及一种基于物理模型和道路特征参数的电动汽车目标路段能耗预测方法,属于电动汽车技术领域,该方法包含如下步骤:S1:记录电动汽车正常行驶过程中的历史行驶状态参数;S2:对电动汽车的能耗因子进行物理建模,获得车辆瞬时能...
- 基于栅极升压的SiC MOSFET驱动电路
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申请号:CN201810581095.9
申请日:20180607
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明提供的一种基于栅极升压的SiC?MOSFET驱动电路,包括开通电路、关断电路、栅极升压电路以及直流电压源V<sub>CC</sub>;所述开通电路,其输入端与直流电压源V<sub>CC</sub>的输出端连接,用于...
- 一种基于相变材料的功率模块及其制作方法
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申请号:CN201810537959.7
申请日:20180530
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明涉及一种基于相变材料的功率模块及其制作方法,属于功率模块技术领域,包含基板(1),陶瓷覆铜板(2),相变模块和功率端子(7);基板(1)上表面呈长方形,多块陶瓷覆铜板(2)分别设置在基板(1)上,陶瓷覆铜板(2)之...
- 一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统及控制方法
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申请号:CN201710533345.7
申请日:20170703
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明涉及一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统及控制方法,属于固态直流断路器领域。所述SiC MOSFET驱动系统包括直流电流检测模块,用于检测固态断路器所在主电路的故障电流,以使得驱动系统能检测到直流系统...
- 一种自适应调节驱动电阻的SiC MOSFET驱动电路
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申请号:CN201710341561.1
申请日:20170516
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明公开了一种自适应调节驱动电阻的SiC MOSFET驱动电路,该驱动电路包括用于提供一主脉冲信号和至少一个开关控制脉冲信号的脉冲信号发生器,用于接收主脉冲信号,并对主脉冲信号进行放大处理后发送至SiC MOSFET以...
- 一种快速绝缘栅双极型晶体管
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申请号:CN201710088554.5
申请日:20170220
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明公开了一种快速绝缘栅双极型晶体管;所述快速绝缘栅双极型晶体管采用阳极自驱动辅助栅的设计结构,在保证器件较小的关断时间的前提下,可以消除器件导通时的负阻效应,提高器件的工作稳定性,获得更好的导通态损耗与关断态损耗之间...
- 一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管
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申请号:CN201710091494.2
申请日:20170220
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明公开了一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管;所述自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管以SOI为衬底,采用自驱动阳极辅助栅极的设计结构,在保证器件较小关断时间的前提下,可以消除器件导通时的负阻效应,提高器件的...
- 元胞结构式功率模块3D封装构造
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申请号:CN201611158120.X
申请日:20161215
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明公开了一种元胞结构式功率模块3D封装构造,至少包括一个元胞,所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件;元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意...
- 半导体功率模块3D封装构造
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申请号:CN201621381082.X
申请日:20161215
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本实用新型公开了一种半导体功率模块3D封装构造,至少包括一个元胞,所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件;元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意...
- 动静态均流的多芯片并联的功率模块
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申请号:CN201610407686.5
申请日:20160612
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明提供的动静态均流的多芯片并联的功率模块,包括陶瓷覆铜板和功率芯片,所述功率芯片数量为多个,每个功率芯片一一对应设置于结构相同的陶瓷覆铜板上,陶瓷覆铜板以轴对称方式沿圆周方向设置;本发明通过圆形的物理对称结构实现电气...
- 基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法
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申请号:CN201610139323.8
申请日:20160311
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明提供的一种基于耦合电感的SiC#MOSFET并联均流控制方法,在并联SiC#MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈,且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上,通过本方法,能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流...
- 基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法
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申请号:CN201610139323.8
申请日:20160311
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明提供的一种基于耦合电感的SiC?MOSFET并联均流控制方法,在并联SiC?MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈,且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上,通过本方法,能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流...
- 用于电网同步的基于隐式PI的数字锁相环系统
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申请号:CN201610037114.2
申请日:20160120
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明提供的一种用于电网同步的基于隐式PI的数字锁相环系统,包括鉴相器、环路滤波器以及压控振荡器,其中:所述鉴相器为: Δ ω ^
- 光储联合发电系统中混合储能的功率协调控制方法
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申请号:CN201510751019.4
申请日:20151106
申请人:重庆大学;国家电网公司;国网河南
浏览量:0 - 摘要:本发明提供的光储联合发电系统中混合储能的功率协调控制方法,包括对光储联合发电系统采用双层控制,通过频率协调控制混合储能单元的功率分配;根据混合储能单元的可用容量分摊指令功率,管理各储能变流器吸收或发出期望的频率;本发明降...
- 光储联合发电系统中混合储能的功率协调控制方法
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申请号:CN201510751019.4
申请日:20151106
申请人:重庆大学;国家电网公司;国网河南
浏览量:0 - 摘要:本发明提供的光储联合发电系统中混合储能的功率协调控制方法,包括对光储联合发电系统采用双层控制,通过频率协调控制混合储能单元的功率分配;根据混合储能单元的可用容量分摊指令功率,管理各储能变流器吸收或发出期望的频率;本发明降...
- 基于分层控制的光储发电系统电能质量提升方法
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申请号:CN201510751313.5
申请日:20151106
申请人:重庆大学;国家电网公司;许继集团
浏览量:0 - 摘要:本发明提供的基于分层控制的光储发电系统电能质量提升方法,包括a.构建光储联合发电系统,所述构建光储联合发电系统包括在分布式光伏发电系统的直流侧设置混合储能单元;b.通过所述光储联合发电系统的功率调度控制和本地功率控制对电...
- 降低电容体积的MMC子模块
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申请号:CN201510581134.1
申请日:20150914
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明提供的降低电容体积的MMC子模块,至少包括电容单元和与所述电容单元连接的开关单元,所述电容单元包括主电容和从电容,所述开关单元包括分别与主电容和从电容串联连接并用于控制改变主电容和从电容的串并联结构的开关,通过控制...
- 一种基于隐式PI的数字锁相环与电网同步系统
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申请号:CN201510276351.X
申请日:20150527
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明提供了一种基于隐式PI的数字锁相环与电网同步系统,包括鉴相器、环路滤波器和压控振荡器:所述鉴相器为<img file='DDA0000725248580000011.GIF' wi='467' he='87' />...