基于栅极升压的SiC MOSFET驱动电路

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201810581095.9 

申 请 日：20180607 

发 明 人：曾正罗子涵王雨晴谭浩彬 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20181106 

公 开 号：CN201810581095.9 

代 理 人：吕小琴 

代理机构：北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 

摘　　要：本发明提供的一种基于栅极升压的SiC?MOSFET驱动电路，包括开通电路、关断电路、栅极升压电路以及直流电压源V_CC；所述开通电路，其输入端与直流电压源V_CC的输出端连接，用于向SiC?MOSFET的栅极输入驱动电压信号；关断电路，其输出端与直流电压源V_CC的输出端连接，输入端与SiC?MOSFET的栅极连接，用于对导通的SiC?MOSFET进行关断；栅极升压电路，其输入端与直流电压源V_CC的输出端连接，其输出端与SiC?MOSFET的栅极连接，用于向SiC?MOSFET输出延时电压信号并与驱动电压叠加并驱动SiC?MOSFET导通；通过上述结构，能够有效降低SiC?MOSFET的开通过冲电流，从而确保SiC?MOSFET的开关速度的同时，并且能够有效提升SiC?MOSFET的开关频率，并且还能够有效降低开关损耗。 

主 权 项：1.一种基于栅极升压的SiC?MOSFET驱动电路，其特征在于：包括开通电路、关断电路、栅极升压电路以及直流电压源VCC；所述直流电压源VCC，由外部控制器输出的PWM信号控制在开通SiC?MOSFET时输出正直流电压且在关断SiC?MOSFET时输出负的直流电压；所述开通电路，其输入端与直流电压源VCC的输出端连接，用于向SiC?MOSFET的栅极输入驱动电压信号；关断电路，其输出端与直流电压源VCC的输出端连接，输入端与SiC?MOSFET的栅极连接，用于对导通的SiC?MOSFET进行关断；栅极升压电路，其输入端与直流电压源VCC的输出端连接，其输出端与SiC?MOSFET的栅极连接，用于向SiC?MOSFET输出延时电压信号并与驱动电压叠加并驱动SiC?MOSFET导通。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：H03K17/687;H03K17/00;H03K17/74;H03K17/00;H03K17/0416;H03K17/00;H03K17/0814;H03K17/00;H03K17/284;H03K17/00;H;H03;H03K;H03K17;H03K17/687;H03K17/00;H03K17/74;H03K17/00;H03K17/0416;H03K17/00;H03K17/0814;H03K17/00;H03K17/284;H03K17/00