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一种自适应调节驱动电阻的SiC MOSFET驱动电路
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201710341561.1
申 请 日：20170516
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20170707
公 开 号：CN106936297A
代 理 人：谢殿武
代理机构：北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129
摘 要：本发明公开了一种自适应调节驱动电阻的SiC MOSFET驱动电路，该驱动电路包括用于提供一主脉冲信号和至少一个开关控制脉冲信号的脉冲信号发生器，用于接收主脉冲信号，并对主脉冲信号进行放大处理后发送至SiC MOSFET以驱动SiC MOSFET动作的放大电路，以及用于接收开关控制脉冲信号，并根据开关控制脉冲信号调节SiC MOSFET的栅极的驱动电阻的输出调节电路。该发明通过利用经过隔离后的开关控制脉冲信号调节各晶体管调节单元的各晶体管的开通时间，使不同晶体管调节单元的晶体管的导通支路的电阻切换，实现开关过程的不同阶段SiC MOSFET的栅极电阻阻值可调节的目的。
主 权 项：一种自适应调节驱动电阻的SiC?MOSFET驱动电路，其特征在于，包括：脉冲信号发生器，用于提供一主脉冲信号和至少一个开关控制脉冲信号；放大电路，用于接收主脉冲信号，并对主脉冲信号进行放大处理后发送至SiC?MOSFET以驱动SiC?MOSFET动作；输出调节电路，用于接收开关控制脉冲信号，并根据开关控制脉冲信号调节SiC?MOSFET的栅极的驱动电阻。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：H02M1/08