一种快速绝缘栅双极型晶体管
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201710088554.5
申 请 日：20170220
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20170531
公 开 号：CN106783991A
代 理 人：王翔
代理机构：重庆大学专利中心50201
摘 要：本发明公开了一种快速绝缘栅双极型晶体管；所述快速绝缘栅双极型晶体管采用阳极自驱动辅助栅的设计结构，在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性，获得更好的导通态损耗与关断态损耗之间的折衷关系；并且，所述阳极辅助栅结构采用自驱动设计，能够消除常规辅助栅极阳极结构对额外驱动电路的要求。??全部
主 权 项：一种快速绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括阳极接触区(1)、重掺杂第二导电类型阳极区(2)、第一导电类型阳极缓冲区(3)、第一导电类型漂移区(4)、第二导电类型阴极阱区(5)、重掺杂第一导电类型阴极区(6)、重掺杂第二导电类型阴极区(7)、阴极接触区(8)、栅极介质层(9)、栅极接触区(10)、第二导电类型阳极阱区(11)、重掺杂第一导电类型阳极区(12)、阳极辅助栅介质层(13)和阳极辅助栅接触区(14)；所述第一导电类型漂移区(4)覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(3)之上；所述第二导电类型阴极阱区(5)覆盖于第一导电类型漂移区(4)之上的部分表面；所述重掺杂第一导电类型阴极区(6)和重掺杂第二导电类型阴极区(7)覆盖于第二导电类型阴极阱区(5)之上的部分表面；所述阴极接触区(8)覆盖于重掺杂第二导电类型阴极区(7)之上，所述阴极接触区(8)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(6)之上的部分表面；所述栅极介质层(9)覆盖于第二导电类型阴极阱区(5)之上的部分表面，所述栅极介质层(9)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(6)之上的部分表面和第一导电类型漂移区(4)之上的部分表面；所述栅极接触区(10)覆盖于栅极介质层(9)之上；所述重掺杂第二导电类型阳极区(2)覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(3)之下的部分表面；所述第二导电类型阳极阱区(11)覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(3)之下的部分表面；所述重掺杂第一导电类型阳极区(12)覆盖于第二导电类型阳极阱区(11)之下的部分表面；所述阳极辅助栅介质层(13)覆盖于第二导电类型阳极阱区(11)之下的部分表面，所述阳极辅助栅介质层(13)还覆盖于重掺杂第一导电类型阳极区(12)之下的部分表面和第一导电类型阳极缓冲区(3)之下的部分表面；所述阳极辅助栅接触区(14)覆盖于阳极辅助栅介质层(13)之下；所述阳极接触区(1)覆盖于阳极辅助栅接触区(14)之下，所述阳极接触区(1)还覆盖于第二导电类型阳极区(2)之下的部分表面和重掺杂第一导电类型阳极区(12)之下的部分表面。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：H01L29/739(2006.01)I