半导体功率模块3D封装构造
专利类型：实用新型
语 言：中文
申 请 号：CN201621381082.X
申 请 日：20161215
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20170808
公 开 号：CN206388694U
代 理 人：刘贻行
代理机构：重庆谢成律师事务所 50224
摘 要：本实用新型公开了一种半导体功率模块3D封装构造,至少包括一个元胞,所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件；元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意串并联结构,元胞式结构组合而成的单元同样也可以实现串并联,极大的降低了模块设计的难度；芯片不需要焊接以及键合线,使用金属卡子作为电流的传导介质,可以有效降低回路的寄生参数；3D立体布局可以有效降低模块的体积,提高功率密度；元胞式结构的单元化设计可以避免多芯片串并联发热集中,散热难的问题,立体布局有利于模块的散热。
主 权 项：一种半导体功率模块3D封装构造,其特征在于：至少包括一个元胞,所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件；所述芯片组件包括设置于下绝缘层上方的芯片和设置于芯片与上绝缘层之间的可产生竖向弹力的弹性导电件；芯片包括底部设有源极的场效应管芯片和底部设有正极的二极管芯片,场效应管芯片的顶面设置有栅极和漏极,二极管芯片的顶面设置有负极；所述上绝缘层的底面设置有第一上导电层和第二上导电层,下绝缘层的顶面设置有下导电层,弹性导电件包括电连接于第一上导电层与栅极之间的第一弹性导电件、电连接于第二上导电层与漏极之间的第二弹性导电件和电连接于第二上导电层与负极之间的第三弹性导电件；所述电极组件包括均设置有接线端子的第一电极座、第二电极座和第三电极座,所述第一电极座、第二电极座和第三电极座均固定设置有用于固定上绝缘层和下绝缘层的金属卡止,第一电极座通过自身金属卡子与第一上导电层电连接,第二电极座通过自身金属卡子与第二上导电层电连接,第三电极座通过自身金属卡子与下导电层电连接。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：H01L23/31;H01L23/367;H01L23/522