具有新型栅极连接结构的功率模块
专利类型：实用新型
语 言：中文
申 请 号：CN201920526152.3
申 请 日：20190418
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20191008
公 开 号：CN209471963U
代 理 人：孔祥超
代理机构：重庆市前沿专利事务所(普通合伙)
摘 要：本实用新型公开了一种具有新型栅极连接结构的功率模块。所述功率模块包括正极金属片、负极金属片、输出金属片、第一MOSFET芯片、第一二极管芯片、栅极连接结构、第二MOSFET芯片、第二二极管芯片；栅极连接结构材质由导电材质制成；所述功率模块将功率电路和栅极控制电路完全分开,减少了功率电路和栅极控制电路间的相互影响。
主 权 项：1.一种具有新型栅极连接结构的功率模块,其特征在于,包括正极金属片、负极金属片、输出金属片、第一MOSFET芯片、第一二极管芯片、栅极连接结构、第二MOSFET芯片、第二二极管芯片；栅极连接结构由导电材质制成；第二MOSFET芯片的源极和第二二极管芯片的正极与负极金属片上侧连接,且第二MOSFET芯片的栅极伸出负极金属片的一端,未与负极金属片连接,第二MOSFET芯片的漏极和第二二极管芯片的负极与输出金属片下侧连接；第一MOSFET芯片的源极和第一二极管芯片的正极与输出金属片上侧连接,且第一MOSFET芯片的位置与第二MOSFET芯片的位置相对应,第一二极管芯片的位置与第二二极管芯片的位置相对应,且第一MOSFET芯片的栅极伸出输出金属片的一端,未与输出金属片连接,第一MOSFET芯片的漏极和第一二极管芯片的负极与正极金属片下侧连接,第一MOSFET芯片的栅极与第二MOSFET芯片的栅极通过栅极连接结构连接；栅极连接结构与输出金属片、负极金属片以及第二MOSFET芯片的漏极之间均有间隙。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：H01L25/18;H01L23/492