插层DBC功率模块
专利类型：实用新型
语 言：中文
申 请 号：CN201920432847.5
申 请 日：20190401
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20191108
公 开 号：CN209607736U
代 理 人：孔祥超
代理机构：重庆市前沿专利事务所(普通合伙)
摘 要：本实用新型公开了一种插层DBC功率模块,所述插层DBC功率模块,包括第一DBC板、第二DBC板、第三DBC板、第一二极管芯片、第一功率器件芯片、第二功率器件芯片、第二二极管芯片、芯片焊料层、下半桥栅极输入端子、上半桥栅极输入端子、半桥电路负极端子以及半桥电路正极端子；第一DBC板、第二DBC板和第三DBC板均包括第一金属层、陶瓷层以及第二金属层；第二DBC板陶瓷层设置有多个沿高度方向的通孔,所述通孔填充有金属材料,所述填充的金属材料用于连接第一功率器件芯片的源极和第二二极管芯片的负极,以及连接二功率器件芯片的漏极和第一二极管芯片的正极。
主 权 项：1.一种插层DBC功率模块,其特征在于,包括第一DBC板、第二DBC板、第三DBC板、第一二极管芯片、第一功率器件芯片、第二功率器件芯片、第二二极管芯片、芯片焊料层、下半桥栅极输入端子、上半桥栅极输入端子、半桥电路负极端子以及半桥电路正极端子；第一DBC板、第二DBC板和第三DBC板均包括第一金属层、陶瓷层以及第二金属层；所述第一功率器件芯片和第二功率器件芯片采用场效应晶体管,第一二极管芯片的负极和第一功率器件芯片的漏极通过芯片焊料层焊接于第一DBC板的第二金属层上侧,第一二极管芯片的正极和第一功率器件芯片的源极通过焊料垫片与第二DBC板的第一金属层连接；第二二极管芯片的负极和第二功率器件芯片的漏极通过芯片焊料层焊接于第二DBC板的第二金属层上侧,且第一二极管芯片和第二功率器件芯片的位置相对应,第二二极管芯片和第一功率器件芯片的位置相对应,第二二极管芯片的正极和第二功率器件芯片的源极通过焊料垫片与第三DBC板的第一金属层连接；第二DBC板陶瓷层设置有多个沿高度方向的通孔,所述通孔填充有金属材料,所述填充的金属材料用于连接第一功率器件芯片的源极和第二二极管芯片的负极,以及连接第二功率器件芯片的漏极和第一二极管芯片的正极。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：H01L25/03;H01L25/07