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基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201610139323.8
申 请 日：20160311
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20160720
公 开 号：CN105790583A
代 理 人：谢殿武
代理机构：北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129
摘 要：本发明提供的一种基于耦合电感的SiC#MOSFET并联均流控制方法,在并联SiC#MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈,且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上,通过本方法,能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流在内的不平衡电流进行抑制,从而保证并联SiC#MOSFET的各支路的电流均衡性,并且有效降低各SiC#MOSFET器件的开通和关断损耗差异,有效避免不均衡应力的出现,对各SiC#MOSFET器件进行有效地保护,延长使用寿命,提升并联器件的电气性能和耐用性。
主 权 项：一种基于耦合电感的SiC#MOSFET并联均流控制方法,其特征在于：在两个并联SiC#MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈,且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上。
关 键 词：不平衡电流;支路;电感线圈;均流控制;耦合电感;并联;延长使用寿命;动态不平衡;并联器件;电气性能;关断损耗;耦合;不均衡;均衡性;耐用性;有效地;磁芯;串联;开通;保证
法律状态：
IPC专利分类号：H02M3/158;H02M1/14