一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201710091494.2
申 请 日：20170220
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20170711
公 开 号：CN106941115A
代 理 人：王翔
代理机构：重庆大学专利中心 50201
摘 要：本发明公开了一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管；所述自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管以SOI为衬底，采用自驱动阳极辅助栅极的设计结构，在保证器件较小关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件可以采用现有常规集成电路制造工艺步骤实现，并且这种器件设计还可以减小器件的横向尺寸，提高电流导通能力。
主 权 项：一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括第二导电类型衬底层(1)、绝缘介质层(2)、第二导电类型阴极阱区(3)、重掺杂第一导电类型阴极区(4)、重掺杂第二导电类型阴极区(5)、阴极接触区(6)、栅极接触区(7)、栅极介质层(8)、第一导电类型漂移区(9)、第一导电类型阳极缓冲区(10)、重掺杂第二导电类型阳极区(11)、阳极接触区(12)、重掺杂第一导电类型阳极区(13)、第二导电类型阳极阱区(17)、阳极自驱动栅极介质层(18)和阳极自驱动栅极接触区(19)；所述绝缘介质层(2)覆盖于第二导电类型衬底层(1)之上；所述第一导电类型漂移区(9)覆盖于绝缘介质层(2)之上；所述第二导电类型阴极阱区(3)和第一导电类型阳极缓冲区(10)均覆盖于第一导电类型漂移区(9)之上的部分表面；所述重掺杂第一导电类型阴极区(4)和重掺杂第二导电类型阴极区(5)覆盖于第二导电类型阴极阱区(3)之上的部分表面；所述阴极接触区(6)覆盖于重掺杂第二导电类型阴极区(5)之上，所述阴极接触区(6)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(4)之上的部分表面；所述栅极介质层(8)覆盖于第二导电类型阴极阱区(3)之上的部分表面，所述栅极介质层(8)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(4)之上的部分表面和第一导电类型漂移区(9)之上的部分表面；所述栅极接触区(7)覆盖于栅极介质层(8)之上；所述重掺杂第二导电类型阳极区(11)和第二导电类型阳极阱区(17)均覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(10)之上的部分表面；所述重掺杂第一导电类型阳极区(13)覆盖于第二导电类型阳极阱区(17)之上的部分表面；所述阳极自驱动栅极介质层(18)覆盖于第二导电类型阳极阱区(17)之上的部分表面，所述阳极自驱动栅极介质层(18)还覆盖于重掺杂第一导电类型阳极区(13)之上的部分表面和第一导电类型阳极缓冲区(10)之上的部分表面；所述阳极自驱动栅极接触区(19)覆盖于阳极自驱动栅极介质层(18)之上；所述阳极接触区(12)覆盖于阳极自驱动栅极接触区(19)之上，所述阳极接触区(12)还覆盖于第二导电类型阳极区(11)之上的部分表面和重掺杂第一导电类型阳极区(13)之上的部分表面。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：H01L29/739; H01L29/45; H01L29/08