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  • 发明人=尚正国x
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一种差分双谐振器型声波压力传感器

申请号:CN201810778687.X

申请日:20180716

申请人:重庆大学

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摘要:本发明提出了一种差分式双谐振器型声波压力传感器,其包括衬底1及在其上形成的底电极2,在底电极2下的衬底1内设置有两个独立且结构参数相同的敞开或密封的腔室,第一腔室之上的底电极2上依次形成有压电层3和第一谐振器4,第二腔室...
差分双谐振器型声波压力传感器

申请号:CN201821170825.8

申请日:20180716

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本实用新型提出了一种差分双谐振器型声波压力传感器,其包括衬底1及在其上形成的底电极2,在底电极2下的衬底1内设置有两个独立且结构参数相同的敞开或密封的腔室,第一腔室之上的底电极2上依次形成有压电层3和第一谐振器4,第二腔...
双谐振器声波拉伸应变传感器芯片

申请号:CN201820905635.X

申请日:20180612

申请人:重庆大学

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摘要:本实用新型提出了一种双谐振器声波拉伸应变传感器芯片,其包括第一谐振器和第二谐振器,第一谐振器和第二谐振器相互垂直放置且各自的声波传播方向不通过对方谐振器区域。可以选择从基底层背部进行深刻蚀,构成兰姆波器件;也可以选择在基...
一种差分式双谐振器声波拉伸应变传感器芯片

申请号:CN201810600899.9

申请日:20180612

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明提出了一种差分式双谐振器声波拉伸应变传感器芯片,其包括第一谐振器和第二谐振器,第一谐振器和第二谐振器相互垂直放置且各自的声波传播方向不通过对方谐振器区域。可以选择从基底层背部进行深刻蚀,构成兰姆波器件;也可以选择在...
一种铁电栅介质CdSe纳米线光电晶体管及其制备方法

申请号:CN201710523329.X

申请日:20170630

申请人:重庆大学

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摘要:本发明属于微纳光电探测器领域,具体涉及一种基于PZT铁电薄膜栅介质的CdSe纳米线光电晶体管及其制备方法。该器件为背栅结构,主要包括源极、漏极、沟道、栅极、栅介质和衬底。其中,沟道材料为In掺杂的CdSe纳米线,栅极为金...
一种基于铁电栅介质和薄层二硫化钼沟道的光电晶体管

申请号:CN201710497580.3

申请日:20170627

申请人:重庆大学

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摘要:本发明属于微纳半导体光电子器件领域,具体涉及一种基于铁电栅介质和薄层MoS2沟道的光电晶体管及其制备方法。该器件包括源极、漏极、沟道、栅极、栅介质、金属焊盘和衬底。源极和漏极为石墨烯,沟道为薄层MoS2,栅介质为PZT铁...
硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法

申请号:CN201710470903.X

申请日:20170620

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法,所述谐振器由上而下依次包含引线键合辅助层、上电极层、功能层、辅助层、晶种层、布拉格反射层、器件层衬底、上表面氧化层、结构层衬底和上表面氧化层;所述结构层衬底与器件...
一种石墨烯薄膜电极电容式微加速度计及其制备方法

申请号:CN201710464017.6

申请日:20170619

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种以石墨烯薄膜作为电极的电容式微加速度计及其制备方法,属于微电子机械系统领域。该电容式微加速度计主要包括上、下盖帽层、可动结构层和电极层。本发明的主要特征是用石墨烯薄膜取代了传统电容式微加速度计中的金属或低...
GHz硅基ScAlN薄膜谐振器及其制作工艺

申请号:CN201610816703.0

申请日:20160912

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种GHz硅基ScAlN薄膜谐振器,包括由上至下依次排列的IDT层、第一功能层、第一公共地电极层、第二公地电极层、晶种层、顶层SiO2层、第二功能层、中间夹层SiO2层、结构层和第一Al层,所述IDT层图形化...
一种晶圆级压电振动能量收集器真空封装结构的制作方法

申请号:CN201610186003.8

申请日:20160329

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种晶圆级压电振动能量收集器真空封装结构的制作方法,该方法包括:以SOI基片作为基底材料,双面生长顶层SiO2层和底层SiO2层;在顶层SiO2层上生长下电极层、压电层、上电极层、Ge层并分别图形化;ICP刻...
一种低g值微机械加速度锁存开关

申请号:CN201510771891.5

申请日:20151112

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开一种低g值微机械加速度锁存开关,包括一绝缘衬底,一检测质量块,多个相对于绝缘衬底X轴和Y轴均对称分布的锚点、触头、触头支撑梁、检测质量块支撑梁及过载保护结构。本发明所述微机械开关的动触头采用半球形与楔形复合结构...
一种低g值微机械加速度锁存开关

申请号:CN201510771891.5

申请日:20151112

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开一种低g值微机械加速度锁存开关,包括一绝缘衬底,一检测质量块,多个相对于绝缘衬底X轴和Y轴均对称分布的锚点、触头、触头支撑梁、检测质量块支撑梁及过载保护结构。本发明所述微机械开关的动触头采用半球形与楔形复合结构...
基于亥姆霍兹效应的低频压电振动能量收集器及其制作工艺

申请号:CN201510289733.6

申请日:20150529

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种基于亥姆霍兹效应的低频压电振动能量收集器及其制作工艺,属于可再生资源技术领域。该能量收集器包括:玻璃上盖、玻璃下盖、以及能量转换单元;玻璃上盖和玻璃下盖上下组合形成亥姆霍兹谐振腔,能量转换单元安装在亥姆霍...
MEMS圆片级真空封装结构及方法

申请号:CN201510278031.8

申请日:20150527

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了一种MEMS圆片级真空封装结构及方法,所述封装结构包括绝缘衬底、MEMS芯片结构层和盖板,三者通过圆片级键合方式连接成一体,形成真空腔室。本发明在第一键合环中心设计有不完全闭合的第二键合环,同时利用阳极键合与...
MEMS圆片级真空封装结构及方法

申请号:CN201510278031.8

申请日:20150527

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了一种MEMS圆片级真空封装结构及方法,所述封装结构包括绝缘衬底、MEMS芯片结构层和盖板,三者通过圆片级键合方式连接成一体,形成真空腔室。本发明在第一键合环中心设计有不完全闭合的第二键合环,同时利用阳极键合与...
一种具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件的制备方法

申请号:CN201410794021.5

申请日:20141219

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件,由下至上依次包括硅衬底、绝缘层、下电极、第I氮化铝薄膜层、中间电极、第II氮化铝薄膜层和上电极,所述第I氮化铝薄膜层和第II氮化铝薄膜层的C轴与硅衬底(1)倾斜且两者倾...
一种具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件及其制备方法

申请号:CN201410794021.5

申请日:20141219

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了一种具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件,由下至上依次包括硅衬底、绝缘层、下电极、第I氮化铝薄膜层、中间电极、第II氮化铝薄膜层和上电极,所述第I氮化铝薄膜层和第II氮化铝薄膜层的C轴与硅衬底(1)倾斜且两者倾...
宽频带微型压电振动能量收集器及其制作方法

申请号:CN201210459561.9

申请日:20121115

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了一种宽频带微型压电振动能量收集器及其制作方法,包括固定支架、质量块和悬臂梁阵列;悬臂梁阵列设置有压电层并设置于固定支架上,质量块设置于悬臂梁阵列上;质量块位于固定支架中央;悬臂梁阵列包括多个悬臂梁组,悬臂梁组...
宽频带微型压电振动能量收集器及其制作方法

申请号:CN201210459561.9

申请日:20121115

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了一种宽频带微型压电振动能量收集器及其制作方法,包括固定支架、质量块和悬臂梁阵列;悬臂梁阵列设置有压电层并设置于固定支架上,质量块设置于悬臂梁阵列上;质量块位于固定支架中央;悬臂梁阵列包括多个悬臂梁组,悬臂梁组...
双极型电磁式扫描微镜

申请号:CN201210170261.9

申请日:20120529

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种双极型电磁式扫描微镜,是以硅基材料为衬底,采用MEMS工艺,加工出含有微反射镜面2、双极型电磁微驱动器4、扭转梁1、角度传感器3、双极型电磁微驱动器线圈连接极5以及支撑框架6的双极型电磁式扫描微镜。本发明...
一种微机械加速度开关

申请号:CN201110188259.X

申请日:20110706

申请人:重庆大学

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摘要:本发明提供了一种微机械加速度开关,涉及微机电系统领域,所述微机械加速度开关包括:绝缘衬底、信号传输线、质量块、折叠梁、触点、锚区和过载保护结构。信号传输线固定在绝缘衬底上,位于质量块上方;锚区固定在绝缘衬底上,位于质量块...
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