一种具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201410794021.5 

申 请 日：20141219 

发 明 人：尚正国李东玲 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街74号 

公 开 日：20150311 

公 开 号：CN104401932A 

代 理 人：赵荣之 

代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 

摘　　要：本发明公开了一种具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件,由下至上依次包括硅衬底、绝缘层、下电极、第I氮化铝薄膜层、中间电极、第II氮化铝薄膜层和上电极,所述第I氮化铝薄膜层和第II氮化铝薄膜层的C轴与硅衬底(1)倾斜且两者倾斜方向相反；其中硅衬底厚度为300～700um,所述绝缘层为二氧化硅层,其厚度为250-350nm,下电极材质为Mo或Ti/Pt,中间电极材质为Ir或Mo,下电极和中间电极层两者厚度均为120～160nm；所述上电极材质为Al,其厚度为1000～1200nm。本发明创造性的提出了具有双层C轴倾斜AlN压电薄膜层结构,在液相工作环境下,该结构可以大幅提高传感器的灵敏度,实现薄膜体声波器件的双向通信并缩小其体积。 

主 权 项：一种具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件,其特征在于：由下至上依次包括硅衬底(1)、绝缘层(2)、下电极(3)、第I氮化铝薄膜层(4)、中间电极(5)、第II氮化铝薄膜层(6)和上电极(7),所述第I氮化铝薄膜层(4)和第II氮化铝薄膜层(6)的C轴与硅衬底(1)倾斜且两者倾斜方向相反。 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：B81B7/02;B81C1/00