浏览量:0
双谐振器声波拉伸应变传感器芯片
专利类型：外观设计
语 言：中文
申 请 号：CN201820905635.X
申 请 日：20180612
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20190104
公 开 号：CN208333399U
代 理 人：郑娴雅
代理机构：杭州千克知识产权代理有限公司
摘 要：本实用新型提出了一种双谐振器声波拉伸应变传感器芯片,其包括第一谐振器和第二谐振器,第一谐振器和第二谐振器相互垂直放置且各自的声波传播方向不通过对方谐振器区域。可以选择从基底层背部进行深刻蚀,构成兰姆波器件；也可以选择在基底层背部不刻蚀,构成声表面波器件。由于两谐振器结构完全相同,故二者感受到的由温度引起的频率漂移相同。第一谐振器的声波传播方向与待测主应变方向垂直,第二谐振器的声波传播方向与待测主应变方向平行,二者感受到的由应变引起的频率漂移相反。本实用新型不仅能够消除温度对应变检测的干扰,还能增大应变灵敏度。
主 权 项：1.一种双谐振器声波拉伸应变传感器芯片,其特征在于,包括结构完全相同的第一谐振器(1)和第二谐振器(2),所述第一谐振器(1)和第二谐振器(2)相互垂直放置且各自的声波传播方向不通过对方谐振器区域；还包括压电层(3)、底电极(4)与基底层(5)；在所述基底层(5)上形成有所述底电极(4),在所述底电极(4)上形成有所述压电层(3),在所述压电层(3)上形成有所述第一谐振器(1)和第二谐振器(2)。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：G01B17/04