硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201710470903.X 

申 请 日：20170620 

发 明 人：尚正国牟笑静 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪正街174号 

公 开 日：20171013 

公 开 号：CN107244645A 

代 理 人：赵荣之 

代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 

摘　　要：本发明涉及一种硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法，所述谐振器由上而下依次包含引线键合辅助层、上电极层、功能层、辅助层、晶种层、布拉格反射层、器件层衬底、上表面氧化层、结构层衬底和上表面氧化层；所述结构层衬底与器件层衬底形成空腔，布拉格反射层位于空腔正上方，辅助层作为功能层图形化的辅助层和功能层并列设置在晶种层之上。本发明的谐振器通过布拉格反射层与空腔型结构的有机结合，可最大限度地抑制声波损耗，提高器件的性能。 

主 权 项：硅基ScAlN薄膜GHz谐振器，其特征在于，所述谐振器由上而下依次包含引线键合辅助层、上电极层、功能层、辅助层、晶种层、布拉格反射层、器件层衬底、上表面氧化层、结构层衬底和上表面氧化层；所述结构层衬底与器件层衬底形成空腔，布拉格反射层位于空腔正上方，辅助层作为功能层图形化的辅助层和功能层并列设置在晶种层之上。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：B81B3/00; B81C1/00; H03H9/17