一种具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件的制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201410794021.5
申 请 日：20141219
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街74号
公 开 日：20160210
公 开 号：CN104401932B
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明公开了一种具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件，由下至上依次包括硅衬底、绝缘层、下电极、第I氮化铝薄膜层、中间电极、第II氮化铝薄膜层和上电极，所述第I氮化铝薄膜层和第II氮化铝薄膜层的C轴与硅衬底(1)倾斜且两者倾斜方向相反；其中硅衬底厚度为300～700um，所述绝缘层为二氧化硅层，其厚度为250-350nm，下电极材质为Mo或Ti/Pt，中间电极材质为Ir或Mo，下电极和中间电极层两者厚度均为120～160nm；所述上电极材质为Al，其厚度为1000～1200nm。本发明创造性的提出了具有双层C轴倾斜AlN压电薄膜层结构，在液相工作环境下，该结构可以大幅提高传感器的灵敏度，实现薄膜体声波器件的双向通信并缩小其体积。
主 权 项：制备具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件的方法，其特征在于，所述具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件由下至上依次包括硅衬底（1）、绝缘层（2）、下电极（3）、第I氮化铝薄膜层（4）、中间电极（5）、第II氮化铝薄膜层（6）和上电极（7），所述第I氮化铝薄膜层（4）和第II氮化铝薄膜层（6）的C轴与硅衬底（1）倾斜且两者倾斜方向相反；所述硅衬底（1）厚度为300～700um；所述绝缘层（2）为二氧化硅层，其厚度为250～350nm；所述下电极（3）材质为Mo或Ti／Pt，其厚度为120～160nm；所述中间电极（5）材质为Ir或Mo，所述上电极（7）材质为Al；其制备方法包括以下步骤：1)??????取厚度为300～700um的硅片为衬底；2)??????双面热氧化1)所选衬底，使其上下表面分别形成厚度为250~350nm的SiO2层；3)??????在上部SiO2层表面生长Mo或Ti／Pt下电极层并图形化，控制其厚度为120～160nm；4)??????采用磁控溅射技术在Mo或Ti／Pt下电极层上依次生长第I氮化铝薄膜层、Ir或Mo中间电极层和第II氮化铝薄膜层并分别图形化；5)??????在第II氮化铝薄膜层上生长Al上电极层并图形化；6)??????首先刻蚀去除硅衬底下部SiO2层，然后在硅衬底下部生长厚度为80～100nm的铝层并图形化；7)??????以Al层为掩蔽层，等离子刻蚀硅衬底至上部SiO2层，形成贯穿硅衬底的孔洞。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I