GHz硅基ScAlN薄膜谐振器及其制作工艺
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201610816703.0
申 请 日：20160912
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20170208
公 开 号：CN106385242A
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明公开了一种GHz硅基ScAlN薄膜谐振器,包括由上至下依次排列的IDT层、第一功能层、第一公共地电极层、第二公地电极层、晶种层、顶层SiO2层、第二功能层、中间夹层SiO2层、结构层和第一Al层,所述IDT层图形化后形成叉指电极和位于叉指电极两端的反射栅；该谐振器还包括第一介质保护层,所述第一介质保护层部分覆盖于IDT层上,部分覆盖于功能层上；所述第一介质保护层上设置有阵列窗口；所述第一介质保护层上设置有上电极层,所述上电极层包括覆盖于阵列窗口侧壁与底壁上的第二Al层以及由阵列窗口的边缘向外延伸形成的第三Al层。本发明通过晶种层的生长,一方面可提高公共电极生长的择优取向,增加电极层与介质层的粘附性,同时,可提高功能层的结晶度。
主 权 项：一种GHz硅基ScAlN薄膜谐振器,其特征在于：包括由上至下依次排列的IDT层(6)、第一功能层(5)、第一公共地电极层(4)、第二公地电极层(3)、晶种层(2)、顶层SiO2层(1)、第二功能层(8)、中间夹层SiO2层(10)、结构层(9)和第一Al层(12),所述IDT层图形化后形成叉指电极(61)和位于叉指电极两端的反射栅(62)；该谐振器还包括第一介质保护层(7),所述第一介质保护层部分覆盖于IDT层上,部分覆盖于功能层上；所述第一介质保护层上设置有阵列窗口,该阵列窗口由第一介质保护层向下凹陷形成；所述第一介质保护层上设置有上电极层,所述上电极层包括覆盖于阵列窗口侧壁与底壁上的第二Al层以及由阵列窗口的边缘向外延伸形成的第三Al层；所述谐振器还包括一腔体,该腔体由第一Al层向功能层方向凹陷形成。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：H03H3/02;H03H9/17