检索结果分析
- 一种铝合金熔体加热保温方法
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申请号：CN201710288405.3
申请日：20170427
申请人：重庆大学;重庆硕龙科技有限公司
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种铝合金熔体加热保温方法，包括加热保温铝合金熔体的步骤，该步骤中采用铝合金熔体加热保温装置来对熔体进行加热保温，铝合金熔体加热保温装置包括炉体、电加热元件、温控器和温度传感器；炉体的内部具有容腔，容腔构成熔...
- 一种新型的正交狭缝光波导结构及制造方法
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申请号：CN201410579910.X
申请日：20141023
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种新型的正交狭缝光波导结构及制造方法,包括衬底(101),位于衬底(101)上的单晶硅层(102)及位于单晶硅层(102)上的正交狭缝结构,正交狭缝结构包括：正交结构的狭缝区域(104,105,107),位...
- 一种正交狭缝光波导结构及制造方法
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申请号：CN201410579910.X
申请日：20141023
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种新型的正交狭缝光波导结构及制造方法,包括衬底(101)，位于衬底(101)上的单晶硅层(102)及位于单晶硅层(102)上的正交狭缝结构，正交狭缝结构包括：正交结构的狭缝区域(104，105，107)，位...
- 带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法
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申请号：CN201410244145.6
申请日：20140604
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法，该MOSFET器件包括源区、漏区和导电沟道区，栅介质层，栅极，绝缘介质层，压应变薄膜应变层，栅介质层形成在半导体材料的第一表面上，且位于导电沟道区的...
- 带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
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申请号：CN201410244666.1
申请日：20140604
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，...
- 带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
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申请号：CN201410244666.1
申请日：20140604
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，...
- 带有应变源的GeSn红外探测器
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申请号：CN201410185529.5
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n<sup>+</sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，G...
- 带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
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申请号：CN201410185612.2
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器,其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn,弛豫层上面是应变源势垒n+型SiGe与p+型SiGe,成对生长在有源区GeSn的四周区域,应变源势垒SiGe的一端为金属接触电...
- 带有应变源的GeSn红外探测器
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申请号：CN201410185529.5
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n<sup>+</sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，G...
- 带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
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申请号：CN201410185612.2
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn，弛豫层上面是应变源势垒n<sup>+</sup>型SiGe与p<sup>+</sup>型SiGe，成对生长在有源区GeSn的四...
- 无掺杂GeSn量子阱的金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201410080145.7
申请日：20140306
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有无掺杂GeSn量子阱的pMOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上生长半导体材料（103），半导体材料（103）上面为GeSn沟道（101），在沟道和栅（106）之间是绝缘介电质...
- 带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
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申请号：CN201410057722.0
申请日：20140220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有源应变源的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括GeSn?n沟道、源极、漏极、源应变源、绝缘介电质薄膜和栅电极。所述源应变源（102）生长在源极区域（101），GeSn?n沟道上生长绝缘介...
- 双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
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申请号：CN201410057748.5
申请日：20140220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括衬底（101）、源极（102）、漏极（104）、GeSn?n沟道（103）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源极、n沟道、漏...
- 双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
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申请号：CN201410057748.5
申请日：20140220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括衬底（101）、源极（102）、漏极（104）、GeSn?n沟道（103）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源极、n沟道、漏...
- 带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
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申请号：CN201410057722.0
申请日：20140220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有源应变源的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括GeSn?n沟道、源极、漏极、源应变源、绝缘介电质薄膜和栅电极。所述源应变源（102）生长在源极区域（101），GeSn?n沟道上生长绝缘介...
- 压应变GeSnp沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201410015476.2
申请日：20140219
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种压应变GeSnp沟道MOSFET。该MOSFET(10)结构包括：衬底（101）、弛豫SiGeSn缓冲层（107），源和漏（102,103）、GeSn沟道（104）、栅电极绝缘介电质层（105）以及栅电极（...
- 压应变GeSn p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201410015476.2
申请日：20140219
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种压应变GeSn?p沟道MOSFET。该MOSFET(10)结构包括：衬底（101）、弛豫SiGeSn缓冲层（107），源和漏（102，103）、GeSn沟道（104）、栅电极绝缘介电质层（105）以及栅电极...
- 带有源漏应变源的GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201310752768.X
申请日：20131231
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有源漏应变源的GeSn n沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：源漏应变源（106）生长在源漏极区域（101），GeSn沟道上生长绝缘介电质薄膜（104），绝缘介电质薄膜上覆盖一层柵（105...
- 双轴张应变GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201310752794.2
申请日：20131231
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底（101）、源极和漏极（102,103）、GeSn沟道（104）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源漏区域材料的晶格常...
- 双轴张应变GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201310752794.2
申请日：20131231
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底（101）、源极和漏极（102,103）、GeSn沟道（104）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源漏区域材料的晶格常...
- 带有InAlP盖层的Ge沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201310259926.8
申请日：20130626
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有InAlP盖层的Ge沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上的Ge沟道（101），Ge沟道上面为InAlP盖层（102），在InAlP盖层和栅（106）之间是绝缘介电质薄膜...
- 带有InAlP盖层的GeSn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201310259307.9
申请日：20130626
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有InAlP盖层的GeSn沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上的GeSn沟道（101），GeSn沟道上面为InAlP盖层（102），在InAlP盖层和栅（106）之间是绝...
- 一种双图像传感器的数码无线传输内窥镜
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申请号：CN200420034376.6
申请日：20040414
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：一种双图像传感器的数码无线传输内窥镜，包括可吞服无线摄像药丸、无线接收模块、控制电路、存储系统及计算机图像采集系统。可吞服无线摄像药丸包括双光学系统和双CMOS图像传感器、图像压缩与缓存电路、无线数字信号发射模块、图像切...
- 一种双图像传感器的数码无线传输内窥镜系统
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申请号：CN200410022321.8
申请日：20040414
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：一种双图像传感器的数码无线传输内窥镜系统，包括可吞服无线摄像药丸、无线接收模块、控制电路、存储系统及计算机图像采集系统。可吞服无线摄像药丸包括双光学系统和双CMOS图像传感器、图像压缩与缓存电路、无线数字信号发射模块、图...
- 一种可置入生物体内的微型无线遥控开关
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申请号：CN03234611.5
申请日：20030527
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：一种可置入生物体内的微型无线遥控开关，是实现生物体外控制，体内触发导通负载工作的透体无线遥控开关。由生物体外的一个发射器A和一个与发射器A配合使用的在生物体内的接收器B两部分组成。其中，发射器A包括按钮开关、开关脉冲产生...
- 微型释放装置
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申请号：CN03233001.4
申请日：20030123
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：一种微型释放装置涉及一种可吞入释放装置，特别涉及到一种药丸式的可吞入释放装置，用于在动物或人体的消化道道释放物质，如药物、食物、标记物等。其技术方案是该装置包括外壳、控制机构、由控制机构控制的可移动机构、驱动可移动机构运...
- 一种微型药物释放装置
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申请号：CN02128122.X
申请日：20021230
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种微型药物释放装置，它由具有生物相容性、带有药物释放端口、表面光滑的壳体，封装固定在壳体内一端区域的永久磁体、封装固定在壳体另一端区域中的电源磁控开关电路，以及封装固定在两区域间、腔室内盛药物、释放口被阀门...
- 一种微型药物释放装置
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申请号：CN02128122.X
申请日：20021230
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种微型药物释放装置，它由具有生物相容性、带有药物释放端口、表面光滑的壳体，封装固定在壳体内一端区域的永久磁体、封装固定在壳体另一端区域中的电源磁控开关电路，以及封装固定在两区域间、腔室内盛药物、释放口被阀门...
- 一种可吞入的消化道诊疗系统
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申请号：CN02128141.6
申请日：20021227
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：一种可吞入的消化道诊疗系统,包括可吞入装置[1]及体外监测控制装置[2],体外监测控制装置[2]包括位置指示信号源探测器[3]、控制信号发生装置[4]、图像工作站[5]、监视器[6]；可吞入装置[1]包括封装外壳[7]、...
- 一种磁能驱动的微型泵
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申请号：CN02128109.2
申请日：20021224
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：一种磁能驱动的微型泵,它有一个基板(1),一个顶板(3)和一个中间板(2),后者夹在另两个板(1)、(3)之间,形成四个泵腔(4)、(5)、(6)、(7),泵腔(6)、(7)有入口和出口；泵腔包括二个在所述中间板(2)中...