检索结果分析
- 一种采用阵列孔引出电极的高温声表面波器件芯片
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申请号：CN201921045150.9
申请日：20190705
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型涉及一种采用阵列孔引出电极的高温声表面波器件芯片及其制作方法,通过在底电极与顶部金属之间设置通道Ⅰ、上电极与顶部金属之间设置通道Ⅱ,利用阵列孔的数量优势将风险分摊,大大提高了器件芯片的电气可靠性；此外,阵列孔采...
- 液态化学品检测传感器及检测装置
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申请号：CN201920467634.6
申请日：20190409
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型涉及液态化学品检测传感器及检测装置；该液态化学品检测传感器含有基底,基底的上表面上设有微带传输线和N个开口谐振器,N个开口谐振器布设在微带传输线的一侧或两侧,基底内部埋设有M条弯折的微流道,M条微流道位于微带传...
- 压电超声换能器
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申请号：CN201920304516.3
申请日：20190312
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型涉及一种压电超声换能器；该压电超声换能器含有从上到下依次设置的顶电极层﹑压电层﹑底电极层﹑基底层和固定板,顶电极层中含有N个相同的顶电极单元,其中一个顶电极单元为中央顶电极单元,其余N-1个顶电极单元为周边顶电...
- 基于miura-ori折叠并具有压电增强效应的摩擦发电机
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申请号：CN201811626484.5
申请日：20181228
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种基于miura-ori折叠并具有压电增强效应的摩擦发电机；该摩擦发电机含有miura-ori折叠的支撑基底层,支撑基底层被折叠线分成M×N个折叠区块,每个折叠区块的正、反两面上均设置有平板形的发电模块,发电...
- 基于miura-ori折叠并具有压电增强效应的摩擦发电机
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申请号：CN201822235740.X
申请日：20181228
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型涉及一种基于miura-ori折叠并具有压电增强效应的摩擦发电机；该摩擦发电机含有miura-ori折叠的支撑基底层,支撑基底层被折叠线分成M×N个折叠区块,每个折叠区块的正、反两面上均设置有平板形的发电模块,...
- 一种差分双谐振器型声波压力传感器
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申请号：CN201810778687.X
申请日：20180716
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种差分式双谐振器型声波压力传感器,其包括衬底1及在其上形成的底电极2,在底电极2下的衬底1内设置有两个独立且结构参数相同的敞开或密封的腔室,第一腔室之上的底电极2上依次形成有压电层3和第一谐振器4,第二腔室...
- 差分双谐振器型声波压力传感器
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申请号：CN201821170825.8
申请日：20180716
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种差分双谐振器型声波压力传感器,其包括衬底1及在其上形成的底电极2,在底电极2下的衬底1内设置有两个独立且结构参数相同的敞开或密封的腔室,第一腔室之上的底电极2上依次形成有压电层3和第一谐振器4,第二腔...
- 一种差分式双谐振器声波拉伸应变传感器芯片
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申请号：CN201810600899.9
申请日：20180612
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种差分式双谐振器声波拉伸应变传感器芯片,其包括第一谐振器和第二谐振器,第一谐振器和第二谐振器相互垂直放置且各自的声波传播方向不通过对方谐振器区域。可以选择从基底层背部进行深刻蚀,构成兰姆波器件；也可以选择在...
- 双谐振器声波拉伸应变传感器芯片
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申请号：CN201820905635.X
申请日：20180612
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种双谐振器声波拉伸应变传感器芯片,其包括第一谐振器和第二谐振器,第一谐振器和第二谐振器相互垂直放置且各自的声波传播方向不通过对方谐振器区域。可以选择从基底层背部进行深刻蚀,构成兰姆波器件；也可以选择在基...
- 一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法
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申请号：CN201710813866.8
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法，其包括：硅晶元芯片基底，所述硅晶元芯片基底包括第一表面和第二表面，在所述硅晶元芯片基底内部设置有腔室，所述腔室在硅晶元芯片基底第二表面有开口或...
- 基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构
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申请号：CN201721158538.0
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构，该高温应变传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底具有第一表面和第二表面，在SOI芯片基底上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换...
- 一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法
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申请号：CN201710812288.6
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法,该基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片包括金属薄板基底,金属薄板基底具有第一表面和第二表面,在金属薄板基底上形成有压电薄膜,在...
- 基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片
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申请号：CN201721157113.8
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片，其包括硅晶元芯片基底，所述硅晶元芯片基底包括第一表面和第二表面，在所述硅晶元芯片基底内部设置有腔室，所述腔室在硅晶元芯片基底第二表面有开口或者由键合于...
- 一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片
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申请号：CN201721158554.X
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其应用结构，该声表面波高温压力传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底上形成有压力敏感层，压力敏感层上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换能...
- 一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法
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申请号：CN201710812303.7
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法，该声表面波高温压力传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底上形成有压力敏感层，压力敏感层上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换能器和...
- 一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法
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申请号：CN201710812989.X
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法，该高温应变传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底具有第一表面和第二表面，在SOI芯片基底上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换能器...
- 基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构
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申请号：CN201721157111.9
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构,该基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片包括金属薄板基底,金属薄板基底具有第一表面和第二表面,在金属薄板基底上形成有压电薄膜...
- 一种铁电栅介质CdSe纳米线光电晶体管及其制备方法
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申请号：CN201710523329.X
申请日：20170630
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于微纳光电探测器领域，具体涉及一种基于PZT铁电薄膜栅介质的CdSe纳米线光电晶体管及其制备方法。该器件为背栅结构，主要包括源极、漏极、沟道、栅极、栅介质和衬底。其中，沟道材料为In掺杂的CdSe纳米线，栅极为金...
- 一种基于铁电栅介质和薄层二硫化钼沟道的光电晶体管
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申请号：CN201710497580.3
申请日：20170627
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于微纳半导体光电子器件领域，具体涉及一种基于铁电栅介质和薄层MoS2沟道的光电晶体管及其制备方法。该器件包括源极、漏极、沟道、栅极、栅介质、金属焊盘和衬底。源极和漏极为石墨烯，沟道为薄层MoS2，栅介质为PZT铁...
- 硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法
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申请号：CN201710470903.X
申请日：20170620
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法，所述谐振器由上而下依次包含引线键合辅助层、上电极层、功能层、辅助层、晶种层、布拉格反射层、器件层衬底、上表面氧化层、结构层衬底和上表面氧化层；所述结构层衬底与器件...
- 一种石墨烯薄膜电极电容式微加速度计及其制备方法
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申请号：CN201710464017.6
申请日：20170619
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种以石墨烯薄膜作为电极的电容式微加速度计及其制备方法，属于微电子机械系统领域。该电容式微加速度计主要包括上、下盖帽层、可动结构层和电极层。本发明的主要特征是用石墨烯薄膜取代了传统电容式微加速度计中的金属或低...
- 一种基于声表面波传感器的自供能传感系统及控制方法
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申请号：CN201611089960.5
申请日：20161201
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于声表面波传感器的自供能传感系统及控制方法,所述系统包括：能量收集系统,与信号处理及射频能量控制电路连接；信号处理及射频能量控制电路,与云端数据库连接,云端数据库,用于将云端数据与智能终端进行交互；本发...
- 自供能传感系统、胎压监控系统、火车铁轨温度监测系统
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申请号：CN201621309914.7
申请日：20161201
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型公开了一种基于声表面波传感器的自供能传感系统、胎压监控系统、火车铁轨温度监测系统,所述系统包括：能量收集系统,与信号处理及射频能量控制电路连接；信号处理及射频能量控制电路,与云端数据库连接,云端数据库,用于将云...
- GHz硅基ScAlN薄膜谐振器及其制作工艺
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申请号：CN201610816703.0
申请日：20160912
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种GHz硅基ScAlN薄膜谐振器,包括由上至下依次排列的IDT层、第一功能层、第一公共地电极层、第二公地电极层、晶种层、顶层SiO2层、第二功能层、中间夹层SiO2层、结构层和第一Al层,所述IDT层图形化...