一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201710812303.7 

申 请 日：20170911 

发 明 人：牟笑静窦韶旭齐梦珂 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20180123 

公 开 号：CN107621317A 

代 理 人：顾晓玲 

代理机构：重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 

摘　　要：本发明提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法，该声表面波高温压力传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底上形成有压力敏感层，压力敏感层上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅；在SOI芯片基底内从SOI芯片基底底面延伸至压力敏感层形成有检测压力时提供参考压力的腔室。本发明的声表面波高温压力传感器芯片体积小，工作在射频段可实现无线收发，测量方式灵活，因而在高温压力测量领域具有非常大的应用潜力。 

主 权 项：一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片，其特征在于，包括：SOI芯片基底，所述SOI芯片基底上的二氧化硅层及其上的器件层共同构成SOI压力敏感层，所述SOI压力敏感层上形成有压电薄膜，在所述压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅；在SOI芯片基底内从SOI芯片基底底面延伸至压力敏感层形成有检测压力时提供参考压力的腔室。 

关 键 词：制备;表面波;传感器;高温压力;SOI芯片基;压电薄膜;测量;形成;压力敏感层;检测;潜力;应用;及其;射频;之上;反射;参考;延伸;提供;实现; 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：G01L1/22(2006.01)I