一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201710812989.X
申 请 日：20170911
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20171212
公 开 号：CN107462192A
代 理 人：顾晓玲
代理机构：重庆市前沿专利事务所(普通合伙)50211
摘 要：本发明提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法，该高温应变传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底具有第一表面和第二表面，在SOI芯片基底上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅，在叉指换能器和反射栅上形成有绝缘保护层，在压电薄膜和绝缘保护层上有通孔分别连接至底电极和叉指换能器，在绝缘保护层上的通孔处形成有信号引出盘；并且具有或不具有如下结构：在SOI芯片基底内从SOI芯片基底底面延伸至SOI隔离层形成有应变腔室，腔室在SOI芯片基底底面和SOI芯片基底侧壁均有开口。该高温应变传感器芯片结构简单、体积小、重量轻、精度高，可应用于航空航天、石油化工、核工业等高温环境下应变参数的测量。??全部
主 权 项：一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片，其特征在于，包括：SOI芯片基底，所述SOI芯片基底具有第一表面和第二表面，在所述SOI芯片基底上形成有压电薄膜，在所述压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅，并且具有或不具有如下结构：在SOI芯片基底内从SOI芯片基底底面延伸至SOI隔离层形成有应变腔室，所述腔室在SOI芯片基底底面和SOI芯片基底侧壁均有开口。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：G01B17/04(2006.01)I;H03H9/25(2006.01)I