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基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构

专利类型:实用新型 

语 言:中文 

申 请 号:CN201721157111.9 

申 请 日:20170911 

发 明 人:牟笑静窦韶旭齐梦珂 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日:20180706 

公 开 号:CN207585556U 

代 理 人:顾晓玲 

代理机构:重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 

摘  要:本实用新型提出了一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构,该基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片包括金属薄板基底,金属薄板基底具有第一表面和第二表面,在金属薄板基底上形成有压电薄膜,在压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅,在叉指换能器和反射栅上形成有绝缘保护层,在压电薄膜和绝缘保护层上有贯通至底电极和叉指换能器的通孔,在绝缘保护层上的通孔处形成有信号引出盘。此传感器芯片体积小,工作在射频段,可实现无线收发,测量方式灵活,因而在高温应变测量领域具有非常大的应用潜力。 

主 权 项:1.一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片,其特征在于,包括:金属薄板基底,所述金属薄板基底具有第一表面和第二表面,在所述金属薄板基底上形成有压电薄膜,在所述压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅,在叉指换能器和反射栅上形成有绝缘保护层,在压电薄膜和绝缘保护层上有贯通至底电极和叉指换能器的通孔,在绝缘保护层上的通孔处形成有信号引出盘。 

关 键 词: 

法律状态: 

IPC专利分类号:G01B17/04;B81B3/00;B81C1/00