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一种采用阵列孔引出电极的高温声表面波器件芯片
专利类型：实用新型
语 言：中文
申 请 号：CN201921045150.9
申 请 日：20190705
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20191213
公 开 号：CN209785973U
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司
摘 要：本实用新型涉及一种采用阵列孔引出电极的高温声表面波器件芯片及其制作方法,通过在底电极与顶部金属之间设置通道Ⅰ、上电极与顶部金属之间设置通道Ⅱ,利用阵列孔的数量优势将风险分摊,大大提高了器件芯片的电气可靠性；此外,阵列孔采用圆孔设计,解决了方孔产生的光刻胶去除不干净的问题；通道Ⅰ中采用阶梯孔设计将压电薄膜与孔侧壁上沉积的金属隔离,规避上电极与孔侧壁上的金属之间产生的电场；SiC作衬底材料增加了耐高温性能,Cu作上电极材料有效降低器件的插入损耗,在刻蚀压电薄膜时,形成底电极窗口的同时将晶圆上的各个芯片进行物理或化学分离,防止在划片时因机械力过大造成的压电薄膜损坏情况的发生。
主 权 项：1.一种采用阵列孔引出电极的高温声表面波器件芯片,所述芯片从下往上依次包含：衬底(1)、种子层(2)、底电极(3)、压电薄膜(4)、上电极(5)、隔离层(6)和顶部金属(7),所述上电极包括叉指换能器和反射栅,其特征在于,所述底电极与所述顶部金属之间设置通道Ⅰ(8),所述通道Ⅰ由三部分组成：处于隔离层中的阵列孔Ⅰ(10)、处于上电极中的中空部分以及处于压电薄膜的阵列孔Ⅱ(11)；所述上电极与所述顶部金属之间另设置通道Ⅱ(9),所述通道Ⅱ为阵列孔Ⅲ(12)。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：H01L41/09;H01L41/22;H01L41/253