基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构
专利类型：实用新型
语 言：中文
申 请 号：CN201721158538.0
申 请 日：20170911
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20180717
公 开 号：CN201721158538.0
代 理 人：顾晓玲
代理机构：重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211
摘 要：本实用新型提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构，该高温应变传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底具有第一表面和第二表面，在SOI芯片基底上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅，在叉指换能器和反射栅上形成有绝缘保护层，在压电薄膜和绝缘保护层上有通孔分别连接至底电极和叉指换能器，在绝缘保护层上的通孔处形成有信号引出盘；并且具有或不具有如下结构：在SOI芯片基底内从SOI芯片基底底面延伸至SOI隔离层形成有应变腔室，腔室在SOI芯片基底底面和SOI芯片基底侧壁均有开口。该高温应变传感器芯片结构简单、体积小、重量轻、精度高，可应用于航空航天、石油化工、核工业等高温环境下应变参数的测量。
主 权 项：1.一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片，其特征在于，包括：SOI芯片基底，所述SOI芯片基底具有第一表面和第二表面，在所述SOI芯片基底上形成有压电薄膜，在所述压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅。
关 键 词：压电薄膜;应变传感器芯片;基底;叉指换能器;绝缘保护层;基底底面;声表面波;应用结构;反射栅;通孔;本实用新型;第二表面;第一表面;高温环境;航空航天;基底侧壁;石油化工;应变参数;底电极;隔离层;体积小;应变腔;重量轻;核工业;腔室;开口;测量;延伸;应用
法律状态：授权
IPC专利分类号：G01B17/04;G01B17/00;H03H9/25;H03H9/00;G;H;G01;H03;G01B;H03H;G01B17;H03H9;G01B17/04;G01B17/00;H03H9/25;H03H9/00