一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201710813866.8
申 请 日：20170911
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20180126
公 开 号：CN107631827A
代 理 人：顾晓玲
代理机构：重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211
摘 要：本发明提出了一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法，其包括：硅晶元芯片基底，所述硅晶元芯片基底包括第一表面和第二表面，在所述硅晶元芯片基底内部设置有腔室，所述腔室在硅晶元芯片基底第二表面有开口或者由键合于硅晶元芯片基底的第二芯片基底密封形成高真空密封腔室；所述腔室之上的硅晶元芯片基底为压力敏感膜，所述压力敏感膜上形成有压电薄膜，在所述压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅。本发明的基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片体积小，工作在射频段可实现无线收发，测量方式灵活，因而在高温压力测量领域具有非常大的应用潜力。
主 权 项：一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片，其特征在于，包括：硅晶元芯片基底，所述硅晶元芯片基底包括第一表面和第二表面，在所述硅晶元芯片基底内部设置有腔室，所述腔室在硅晶元芯片基底第二表面有开口或者由键合于硅晶元芯片基底第二表面的第二芯片基底密封形成高真空密封腔室；所述腔室之上的硅晶元芯片基底为压力敏感膜，所述压力敏感膜上形成有压电薄膜，在所述压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅。
关 键 词：芯片;制备;表面波;传感器;硅晶元;压电薄膜;高温压力;测量;形成;压力敏感膜;述腔;设置;潜力;应用;及其;之上;射频;密封;反射;开口;
法律状态：公开
IPC专利分类号：G01L9/08(2006.01)I