检索结果分析
- 一种差分双谐振器型声波压力传感器
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申请号：CN201810778687.X
申请日：20180716
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种差分式双谐振器型声波压力传感器,其包括衬底1及在其上形成的底电极2,在底电极2下的衬底1内设置有两个独立且结构参数相同的敞开或密封的腔室,第一腔室之上的底电极2上依次形成有压电层3和第一谐振器4,第二腔室...
- 差分双谐振器型声波压力传感器
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申请号：CN201821170825.8
申请日：20180716
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种差分双谐振器型声波压力传感器,其包括衬底1及在其上形成的底电极2,在底电极2下的衬底1内设置有两个独立且结构参数相同的敞开或密封的腔室,第一腔室之上的底电极2上依次形成有压电层3和第一谐振器4,第二腔...
- 一种差分式双谐振器声波拉伸应变传感器芯片
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申请号：CN201810600899.9
申请日：20180612
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种差分式双谐振器声波拉伸应变传感器芯片,其包括第一谐振器和第二谐振器,第一谐振器和第二谐振器相互垂直放置且各自的声波传播方向不通过对方谐振器区域。可以选择从基底层背部进行深刻蚀,构成兰姆波器件；也可以选择在...
- 双谐振器声波拉伸应变传感器芯片
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申请号：CN201820905635.X
申请日：20180612
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种双谐振器声波拉伸应变传感器芯片,其包括第一谐振器和第二谐振器,第一谐振器和第二谐振器相互垂直放置且各自的声波传播方向不通过对方谐振器区域。可以选择从基底层背部进行深刻蚀,构成兰姆波器件；也可以选择在基...
- 一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法
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申请号：CN201710813866.8
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法，其包括：硅晶元芯片基底，所述硅晶元芯片基底包括第一表面和第二表面，在所述硅晶元芯片基底内部设置有腔室，所述腔室在硅晶元芯片基底第二表面有开口或...
- 一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片
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申请号：CN201721158554.X
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其应用结构，该声表面波高温压力传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底上形成有压力敏感层，压力敏感层上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换能...
- 基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片
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申请号：CN201721157113.8
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片，其包括硅晶元芯片基底，所述硅晶元芯片基底包括第一表面和第二表面，在所述硅晶元芯片基底内部设置有腔室，所述腔室在硅晶元芯片基底第二表面有开口或者由键合于...
- 一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法
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申请号：CN201710812303.7
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法，该声表面波高温压力传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底上形成有压力敏感层，压力敏感层上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换能器和...
- 一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法
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申请号：CN201710812989.X
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法，该高温应变传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底具有第一表面和第二表面，在SOI芯片基底上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换能器...
- 基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构
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申请号：CN201721158538.0
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构，该高温应变传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底具有第一表面和第二表面，在SOI芯片基底上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换...
- 一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法
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申请号：CN201710812288.6
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法,该基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片包括金属薄板基底,金属薄板基底具有第一表面和第二表面,在金属薄板基底上形成有压电薄膜,在...
- 基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构
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申请号：CN201721157111.9
申请日：20170911
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构,该基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片包括金属薄板基底,金属薄板基底具有第一表面和第二表面,在金属薄板基底上形成有压电薄膜...
- 一种防止硅热法炼镁中被还原成单质的钾、钠燃烧的方法
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申请号：CN201010525311.1
申请日：20101030
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种防止硅热法炼镁中被还原成单质的钾、钠燃烧的方法，该方法是将能与钾、钠发生置换反应的金属氯化物涂覆于钾钠捕集器上，并将钾钠捕集器按顺序放置于炼镁还原罐内，使氯化物与硅热法炼镁中还原产生的钾、钠发生反应，生成稳...