检索结果分析
- 一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管
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申请号：CN201810137194.8
申请日：20180210
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域，通过将现有体硅超结横向绝缘栅双极型晶体管的轻掺杂的衬底换成重掺杂的衬底实现快速关断，通过合理设置超结耐压层中各漂移区的杂质总数保证器件的击穿电压...
- 一种有两种载流子导电的超结功率MOSFET
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申请号：CN201810137190.X
申请日：20180210
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，其具有第一种导电类型的MOSFET及第二种导电类型的双极结型晶体管，并通过第一种导电类型的MOSFET及受所述MOSFET驱动的第二种导电类型的双极结型晶...
- 一种基于普适绝缘层的OFET管驱动及其制备方法
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申请号：CN201810066650.4
申请日：20180124
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于普适绝缘层的OFET管驱动，包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5)，绝缘层(2)为一种普适材料PVP，在栅极(1)表面上覆盖PVP层(2)，在PVP层(2)上覆盖有源层(3...
- 一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET
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申请号：CN201810072735.3
申请日：20180124
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，通过在现有的超结功率MOSFET中设置新的耐压层，改变衬底区的结构，或增加缓冲区以及辅助区，有效地提高寄生体二极管反向恢复电流的软度，改善...
- 一种基于p?6p/C8?BTBT复合材料的OFET管及其制备方法
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申请号：CN201711157046.4
申请日：20171120
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于p?6p/C8?BTBT复合材料的OFET管及其制备方法。本发明的OFET管包括栅极（1）、绝缘层（2）、有源层（3）、源极（4）和漏极（5），有源层（3）为p?6p/C8?BTBT复合材料，在绝缘层...
- 一种具有输出大电流的OFET管及其制备方法
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申请号：CN201711157659.8
申请日：20171120
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有输出大电流的OFET管及其制备方法。本发明的OFET管包括栅极（1）、绝缘层（2）、有源层（3）、源极（4）和漏极（5），有源层（3）包括酞菁铜（31），在酞菁铜（31）中至少夹有两层氧化钼（32）。...
- 一种电梯按键监控器
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申请号：CN201420257855.8
申请日：20140520
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型涉公开了一种电梯按键监控器。包括图像传感器（1）、电压比较器（2）、FPGA（3）和电梯按键执行器(4)，图像传感器(1)的输出端连接电压比较器(2)的输入端，电压比较器(2)的输出端连接FPGA(3)的输入端...
- 基于颜色模型与预测向量簇模型信息融合的粒子滤波目标跟踪方法
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申请号：CN201410213268.3
申请日：20140520
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于颜色模型与预测向量簇模型信息融合的粒子滤波目标跟踪方法，它包括：步骤1、粒子进行初始化和赋权值；步骤2、粒子状态转移预测；步骤3、构建粒子颜色模型似然函数；步骤4、构建粒子的预测向量簇模型似然函数；步...
- 一种新型智能柜控制器
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申请号：CN201220738271.3
申请日：20121228
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型涉及一种智能柜控制器。它包括有按键输入电路（1）、账户信息存储电路（2）、实时时钟电路（3）、液晶显示电路（4）、语音处理电路（5）、信号解码及电子锁驱动电路（6）和运算处理器（7）。本实用新型具有如下的优点：...
- 一种新型智能节能LED台灯控制器
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申请号：CN201220658511.9
申请日：20121204
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型涉及一种智能节能LED台灯控制器。它包括超声波测距传感器电路（1）、环境光线传感器电路(2)、用户设置按键电路(3)和运算处理器(4)，超声波测距传感器电路(1)将用户到台灯的距离转换为一个脉冲信号，环境光线传...
- 一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件
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申请号：CN201210298122.4
申请日：20120821
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底表面的N+漏区；本发明在常规的槽型场氧器...
- 一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件
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申请号：CN201210298122.4
申请日：20120821
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底表面的N+漏区；本发明在常规的槽型场氧器...
- 具有界面横向变掺杂的SOI耐压结构
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申请号：CN201110125782.8
申请日：20110516
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有界面横向变掺杂的SOI耐压结构，涉及一种半导体功率器件，包括衬底层、介质埋层、有源半导体层和界面横向变掺杂层，介质埋层设置于衬底层与有源半导体层之间，界面横向变掺杂层设置于介质埋层和有源半导体层之间，...
- 一种基于无线mesh网络的分布式网络控制系统间的流量控制方法
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申请号：CN201010607916.5
申请日：20101224
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种基于无线mesh的分布式网络控制系统间的流量控制方法，该方法：1、通过改变传统的网络控制系统结构提高数据的传输质量，采用无线mesh网络传输控制信号和采样信号，既保证了整个控制网络具有较好的容错能力和网格连...
- 一种Email蠕虫检测方法
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申请号：CN200910250848.9
申请日：20091230
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种Email蠕虫检测方法CTCBF(Contact-Tracing Chain Based Framework基于接触跟踪链的检测机制)。该方法首先利用差分熵的方法对网络节点的异常发送Email行为进行检测，...